SI1965DH-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.09 грн |
| 10+ | 34.12 грн |
| 100+ | 22.01 грн |
| 500+ | 15.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1965DH-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Power - Max: 1.25W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI1965DH-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1965DH-T1-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SC70-6 |
на замовлення 14933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI1965DH-T1-E3 |
|
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI1965DH-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SC70-6
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 14933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)