SI1967DH-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1967DH-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.3A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6.
Інші пропозиції SI1967DH-T1-BE3 за ціною від 7.77 грн до 52.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1967DH-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1967DH-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1967DH-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
MOSFETs SOT363 P CHAN 20V |
на замовлення 75106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1967DH-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.3A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
на замовлення 7019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1967DH-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1967DH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.3A, SC-70 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 4009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|