Продукція > VISHAY > SI1967DH-T1-BE3
SI1967DH-T1-BE3

SI1967DH-T1-BE3 Vishay


si1967dh.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1967DH-T1-BE3 Vishay

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.3A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6.

Інші пропозиції SI1967DH-T1-BE3 за ціною від 8.45 грн до 51.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1967DH-T1-BE3 SI1967DH-T1-BE3 Виробник : Vishay si1967dh.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3 SI1967DH-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix SI1967DH.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3 SI1967DH-T1-BE3 Виробник : Vishay SI1967DH.pdf MOSFETs SOT363 P CHAN 20V
на замовлення 75106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.45 грн
13+27.94 грн
100+16.68 грн
500+12.60 грн
1000+10.79 грн
3000+9.28 грн
9000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3 SI1967DH-T1-BE3 Виробник : VISHAY 3204796.pdf Description: VISHAY - SI1967DH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.3A, SC-70
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 4444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.89 грн
29+29.97 грн
32+26.92 грн
50+22.25 грн
100+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3 SI1967DH-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix SI1967DH.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 7019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.43 грн
11+30.58 грн
100+19.63 грн
500+13.96 грн
1000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.