SI1967DH-T1-BE3 Vishay Siliconix


SI1967DH.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1967DH-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.3A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI1967DH-T1-BE3 за ціною від 7.89 грн до 49.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI1967DH-T1-BE3 SI1967DH-T1-BE3 VISHAY 3204796.pdf Description: VISHAY - SI1967DH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.3A, SC-70
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3 SI1967DH-T1-BE3 Vishay SI1967DH.pdf MOSFETs SOT363 P CHAN 20V
на замовлення 75106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.25 грн
13+26.10 грн
100+15.58 грн
500+11.77 грн
1000+10.08 грн
3000+8.67 грн
9000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3 SI1967DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1967DH.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.95 грн
11+29.70 грн
100+19.07 грн
500+13.56 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3 3204796.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1967DH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.3A, SC-70
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3 SI1967DH.pdf
Виробник: Vishay
MOSFETs SOT363 P CHAN 20V
на замовлення 75106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+31.25 грн
13+26.10 грн
100+15.58 грн
500+11.77 грн
1000+10.08 грн
3000+8.67 грн
9000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3 SI1967DH.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+49.95 грн
11+29.70 грн
100+19.07 грн
500+13.56 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.