Продукція > VISHAY > SI1967DH-T1-E3
SI1967DH-T1-E3

SI1967DH-T1-E3 Vishay

si1967dh.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1967DH-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6.

Інші пропозиції SI1967DH-T1-E3 за ціною від 8.68 грн до 51.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si1967dh.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.84 грн
6000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-E3 Виробник : Vishay si1967dh.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
385+31.80 грн
551+22.22 грн
553+22.12 грн
706+16.71 грн
1000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 385
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-E3 Виробник : Vishay / Siliconix si1967dh.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 58320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.82 грн
13+28.12 грн
100+18.26 грн
500+14.26 грн
1000+11.32 грн
3000+9.13 грн
6000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si1967dh.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.43 грн
11+30.58 грн
100+19.63 грн
500+13.96 грн
1000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 si1967dh.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-E3 Виробник : Vishay si1967dh.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-E3 Виробник : Vishay si1967dh.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 Виробник : VISHAY si1967dh.pdf SI1967DH-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.