Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1967DH-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 1.25W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI1967DH-T1-E3 за ціною від 9.98 грн до 49.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1967DH-T1-E3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.25W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI1967DH-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 1627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI1967DH-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 Power - Max: 1.25W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V |
на замовлення 8875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI1967DH-T1-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6 |
на замовлення 58270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI1967DH-T1-E3 |
|
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI1967DH-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.34 грн |
| 6000+ | 9.98 грн |
| SI1967DH-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 385+ | 36.69 грн |
| 551+ | 25.64 грн |
| 553+ | 25.52 грн |
| 706+ | 19.28 грн |
| 1000+ | 14.49 грн |
| SI1967DH-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.27 грн |
| 11+ | 29.30 грн |
| 100+ | 18.80 грн |
| 500+ | 13.38 грн |
| 1000+ | 12.00 грн |
| SI1967DH-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 58270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)