на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1967DH-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6.
Інші пропозиції SI1967DH-T1-E3 за ціною від 7.88 грн до 52.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1967DH-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1967DH-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 1627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1967DH-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6 |
на замовлення 58270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1967DH-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
на замовлення 8875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI1967DH-T1-E3 |
|
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI1967DH-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI1967DH-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI1967DH-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.3A; 1.25W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Case: SC70-6; SOT363 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -3A Drain current: -1.3A Gate charge: 4nC On-state resistance: 790mΩ Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |