на замовлення 47986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 28.97 грн |
| 13+ | 24.26 грн |
| 100+ | 14.69 грн |
| 500+ | 11.48 грн |
| 1000+ | 9.55 грн |
| 9000+ | 9.15 грн |
| 24000+ | 8.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1967DH-T1-E3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.3A; 1.25W, Type of transistor: P-MOSFET x2, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -1.3A, Pulsed drain current: -3A, Power dissipation: 1.25W, Case: SC70-6; SOT363, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 0.79Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 4nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI1967DH-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1967DH-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI1967DH-T1-E3 |
|
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SI1967DH-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.3A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.3A Pulsed drain current: -3A Power dissipation: 1.25W Case: SC70-6; SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.79Ω Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
|
|
SI1967DH-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 |
товар відсутній |
|
| SI1967DH-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.3A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.3A Pulsed drain current: -3A Power dissipation: 1.25W Case: SC70-6; SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.79Ω Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |