SI1967DH-T1-E3 Vishay Siliconix


si1967dh.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.39 грн
6000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1967DH-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 1.25W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI1967DH-T1-E3 за ціною від 7.19 грн до 49.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-E3 Vishay / Siliconix si1967dh.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 58270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.27 грн
12+28.11 грн
100+15.64 грн
500+11.94 грн
1000+10.68 грн
3000+7.54 грн
6000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-E3 Vishay Siliconix si1967dh.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.49 грн
11+29.43 грн
100+18.89 грн
500+13.44 грн
1000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 si1967dh.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 si1967dh.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 58270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+46.27 грн
12+28.11 грн
100+15.64 грн
500+11.94 грн
1000+10.68 грн
3000+7.54 грн
6000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 si1967dh.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+49.49 грн
11+29.43 грн
100+18.89 грн
500+13.44 грн
1000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 si1967dh.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.