SI2122DS-T1-BE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI2122DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.17 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.30 грн |
| 500+ | 11.59 грн |
| 1000+ | 8.72 грн |
| 5000+ | 7.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2122DS-T1-BE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI2122DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.17 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI2122DS-T1-BE3 за ціною від 6.86 грн до 39.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2122DS-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2122DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.17 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 5840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2122DS-T1-BE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
SI2122DS-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta), 2.17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |