Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2300DS-T1-BE3
SI2300DS-T1-BE3

SI2300DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2300ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.07 грн
6000+ 7.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2300DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2300DS-T1-BE3 за ціною від 7.75 грн до 30.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2300DS-T1-BE3 SI2300DS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2300ds.pdf MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S)
на замовлення 157373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.76 грн
13+ 24.15 грн
100+ 15.7 грн
500+ 12.32 грн
1000+ 10.14 грн
3000+ 8.55 грн
9000+ 7.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI2300DS-T1-BE3 SI2300DS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2300ds.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.1 грн
13+ 22.29 грн
100+ 13.4 грн
500+ 11.64 грн
1000+ 7.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2300DS-T1-BE3 SI2300DS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2300DS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товар відсутній