SI2300DS-T1-GE3

SI2300DS-T1-GE3


si2300ds.pdf
Код товару: 72682
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2300DS-T1-GE3 за ціною від 7.60 грн до 77.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2300ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.02 грн
6000+9.70 грн
9000+9.24 грн
15000+8.18 грн
21000+7.88 грн
30000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.06 грн
6000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.83 грн
6000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
632+20.49 грн
733+17.65 грн
1000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 632
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+26.27 грн
23+18.67 грн
26+16.57 грн
100+14.47 грн
500+12.45 грн
1000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2300ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 43937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.96 грн
11+28.54 грн
100+18.28 грн
500+13.00 грн
1000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2300ds.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SOT-23
на замовлення 34302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.81 грн
11+30.30 грн
100+16.84 грн
500+12.72 грн
1000+11.39 грн
3000+9.71 грн
6000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010743888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.45 грн
25+44.60 грн
50+39.13 грн
100+31.19 грн
250+24.04 грн
500+19.29 грн
1000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2300ds.pdf MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.