Продукція > VISHAY > SI2300DS-T1-GE3

SI2300DS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2300DS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 33663-7
Price: 28200 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	9.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2300DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI2300DS-T1-GE3 за ціною від 7.25 грн до 45.59 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

Si2300DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	9.71 грн
6000+	8.13 грн
9000+	7.93 грн
15000+	7.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2300DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	9.74 грн
6000+	9.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2300DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	9.97 грн
6000+	9.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2300DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	10.54 грн
6000+	9.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2300DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	10.74 грн
6000+	9.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2300DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
40+	15.13 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

SI2300DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0010743888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 1451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
32+	25.64 грн
50+	16.61 грн
100+	14.25 грн
500+	12.62 грн
1000+	10.88 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

Si2300DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 19870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
13+	25.90 грн
19+	16.55 грн
100+	13.69 грн
500+	12.40 грн
1000+	11.12 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

Si2300DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Mounting: SMD

на замовлення 1063 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
16+	26.05 грн
24+	15.95 грн
87+	10.28 грн
239+	9.75 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

Si2300DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 1063 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	31.26 грн
15+	19.88 грн
87+	12.34 грн
239+	11.70 грн
2500+	11.52 грн
3000+	11.25 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

Si2300DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SOT-23

на замовлення 105898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	36.23 грн
15+	22.62 грн
100+	14.88 грн
500+	12.84 грн
1000+	10.88 грн
3000+	9.22 грн
9000+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI2300DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
18+	45.59 грн
32+	25.97 грн
35+	23.85 грн
50+	20.11 грн
100+	16.75 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SI2300DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI2300DS-T1-GE3
Код товару: 72682

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.