SI2300DS-T1-GE3 - Транзистори - Польові N-канальні
В наявності/на замовлення
Технічний опис SI2300DS-T1-GE3
Ціна SI2300DS-T1-GE3 від 0 грн до 0 грн
|
Si2300DS-T1-GE3 Виробник: Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23 
|
на замовлення 5 шт  термін постачання 4 дні (днів) |
|
|
|
Si2300DS-T1-GE3 Виробник: VISHAY Material: SI2300DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
 Виробник: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT)
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
|
Виробник: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide)
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
|
Виробник: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Vgs (Max): ±12V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Packaging: Digi-Reel® (Додаткова плата за котушку в розмірі $7)
|
на замовлення 42717 шт  термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|
 Виробник: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
|
SI2300DST1GE3 Виробник: Vishay SI2300DST1GE3 |
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
|
SI2300DST1GE3 Виробник: Vishay SI2300DST1GE3 |
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
 Виробник: Vishay Semiconductors MOSFET 30V Vds 12V Vgs SOT-23
|
на замовлення 134889 шт термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|
|
Si2300DS-T1-GE3 Виробник: VISHAY Material: SI2300DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|