Продукція > VISHAY > SI2300DS-T1-GE3
SI2300DS-T1-GE3

SI2300DS-T1-GE3 Vishay

si2300ds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.62 грн
6000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2300DS-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2300DS-T1-GE3 за ціною від 7.64 грн до 39.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.02 грн
6000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2300ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.25 грн
6000+8.58 грн
9000+8.36 грн
15000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.36 грн
6000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.51 грн
6000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2300ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 19870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.32 грн
19+17.46 грн
100+14.44 грн
500+13.07 грн
1000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.47 грн
24+16.82 грн
87+10.84 грн
239+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010743888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+28.33 грн
48+18.20 грн
100+15.63 грн
500+13.55 грн
1000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010743888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.76 грн
46+18.89 грн
48+18.03 грн
50+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 871 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.97 грн
15+20.96 грн
87+13.01 грн
239+12.34 грн
2500+12.15 грн
3000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2300ds.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SOT-23
на замовлення 76070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+39.38 грн
14+26.93 грн
100+17.53 грн
500+13.70 грн
1000+10.79 грн
3000+9.64 грн
6000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3
Код товару: 72682
Додати до обраних Обраний товар

si2300ds.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.