Продукція > VISHAY > SI2300DS-T1-GE3
SI2300DS-T1-GE3

SI2300DS-T1-GE3 Vishay

si2300ds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2300DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2300DS-T1-GE3 за ціною від 7.70 грн до 46.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.46 грн
6000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2300ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.77 грн
6000+9.47 грн
9000+9.02 грн
15000+7.98 грн
21000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.25 грн
6000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.67 грн
32+12.61 грн
34+11.82 грн
50+11.19 грн
100+10.56 грн
500+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 962 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.41 грн
19+15.72 грн
25+14.19 грн
50+13.43 грн
100+12.67 грн
500+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2300ds.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SOT-23
на замовлення 56705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+25.07 грн
24+14.53 грн
100+12.26 грн
500+11.88 грн
1000+11.50 грн
3000+9.16 грн
6000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010743888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+25.72 грн
54+15.79 грн
100+15.02 грн
500+13.56 грн
1000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010743888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+25.81 грн
52+16.38 грн
54+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2300ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 28371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.66 грн
12+27.82 грн
100+17.85 грн
500+12.70 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3
Код товару: 72682
Додати до обраних Обраний товар

si2300ds.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.