Si2300DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.92 грн |
| 6000+ | 8.15 грн |
| 9000+ | 7.57 грн |
| 30000+ | 6.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si2300DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції Si2300DS-T1-GE3 за ціною від 7.72 грн до 32.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2300DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2300DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2300DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2300DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
Si2300DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V |
на замовлення 33762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
Si2300DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 12V Vgs SOT-23 |
на замовлення 121993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2300DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2300DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2300DS-T1-GE3 Код товару: 72682 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
 |
SI2300DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
Si2300DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
Si2300DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |