SI2300DS-T1-GE3

SI2300DS-T1-GE3

Код товару: 72682
Виробник:
Транзистори - Польові N-канальні

si2300ds.pdf si2300ds.pdf
В наявності/на замовлення

Технічний опис SI2300DS-T1-GE3

Ціна SI2300DS-T1-GE3 від 0 грн до 0 грн

Si2300DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
si2300ds.pdf si2300ds.pdf
на замовлення 5 шт
термін постачання 4 дні (днів)
Si2300DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Material: SI2300DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
si2300ds.pdf si2300ds.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
SI2300DS-T1-GE3
SI2300DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
si2300ds.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
SI2300DS-T1-GE3
SI2300DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
si2300ds.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
SI2300DS-T1-GE3
SI2300DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Vgs (Max): ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Packaging: Digi-Reel® (Додаткова плата за котушку в розмірі $7)
si2300ds.pdf
на замовлення 42717 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2300DS-T1-GE3
SI2300DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
si2300ds.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
SI2300DST1GE3
Виробник: Vishay
SI2300DST1GE3
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
SI2300DST1GE3
Виробник: Vishay
SI2300DST1GE3
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
SI2300DS-T1-GE3
SI2300DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 12V Vgs SOT-23
si2300ds-1764973.pdf
на замовлення 134889 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)
Si2300DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Material: SI2300DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
si2300ds.pdf si2300ds.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик