Продукція > VISHAY > SI2301BDS-T1-GE3
SI2301BDS-T1-GE3

SI2301BDS-T1-GE3 Vishay

si2301bds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2301BDS-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2301BDS-T1-GE3 за ціною від 11.09 грн до 211.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2301bds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.69 грн
10+32.70 грн
100+21.09 грн
500+15.09 грн
1000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2301bds.pdf MOSFETs 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.43 грн
10+35.75 грн
100+20.53 грн
500+16.07 грн
1000+14.64 грн
3000+12.53 грн
6000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+152.37 грн
10+31.83 грн
25+26.88 грн
80+13.87 грн
219+13.11 грн
3000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay doc72066.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2301bds.pdf Si2301BDS P-Channel 20V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2301bds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.