Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2301CDS-T1-BE3
SI2301CDS-T1-BE3

SI2301CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2301cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.06 грн
6000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2301CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI2301CDS-T1-BE3 за ціною від 8.95 грн до 50.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-T1-BE3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-T1-BE3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-T1-BE3 VISHAY si2301cd.pdf Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-BE3 - P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 42AJ0549
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.98 грн
30+27.71 грн
100+17.68 грн
500+12.52 грн
1000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2301cd.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 8321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.37 грн
11+28.56 грн
100+18.33 грн
500+13.04 грн
1000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix si2301cd.pdf MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.3A
на замовлення 73071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.24 грн
11+30.48 грн
100+17.06 грн
500+12.90 грн
1000+11.56 грн
3000+9.37 грн
6000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-BE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-BE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-BE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-BE3 - P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 42AJ0549
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+44.98 грн
30+27.71 грн
100+17.68 грн
500+12.52 грн
1000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-BE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 8321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+48.37 грн
11+28.56 грн
100+18.33 грн
500+13.04 грн
1000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-BE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.3A
на замовлення 73071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+50.24 грн
11+30.48 грн
100+17.06 грн
500+12.90 грн
1000+11.56 грн
3000+9.37 грн
6000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.