Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2301CDS-T1-E3
SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2301cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.82 грн
6000+10.42 грн
9000+9.92 грн
15000+8.80 грн
21000+8.49 грн
30000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2301CDS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm.

Інші пропозиції SI2301CDS-T1-E3 за ціною від 9.60 грн до 52.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2301CDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-E3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.68 грн
6000+15.29 грн
9000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-E3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.68 грн
6000+15.29 грн
9000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-E3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-E3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
на замовлення 21387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.51 грн
27+30.61 грн
100+19.65 грн
500+13.91 грн
1000+11.53 грн
5000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2301cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 86031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
10+30.21 грн
100+19.47 грн
500+13.89 грн
1000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-E3 Vishay Semiconductors si2301cd.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 87331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.67 грн
10+32.23 грн
100+18.02 грн
500+13.74 грн
1000+12.36 грн
3000+10.49 грн
6000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.68 грн
6000+15.29 грн
9000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.68 грн
6000+15.29 грн
9000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2301CDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
на замовлення 21387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+40.51 грн
27+30.61 грн
100+19.65 грн
500+13.91 грн
1000+11.53 грн
5000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 86031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.48 грн
10+30.21 грн
100+19.47 грн
500+13.89 грн
1000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 87331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+52.67 грн
10+32.23 грн
100+18.02 грн
500+13.74 грн
1000+12.36 грн
3000+10.49 грн
6000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.