SI2301CDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.63 грн |
| 6000+ | 6.12 грн |
| 9000+ | 5.51 грн |
| 30000+ | 5.09 грн |
| 75000+ | 4.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2301CDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI2301CDS-T1-E3 за ціною від 6.51 грн до 29.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2301CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V |
на замовлення 80041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 360743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
на замовлення 31581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI2301CDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -10A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.1A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 142mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SI2301CDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -10A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.1A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 142mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |