на замовлення 957000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2301CDS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI2301CDS-T1-GE3 за ціною від 4.83 грн до 29.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 957000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V |
на замовлення 169600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.142 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 860mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm |
на замовлення 366000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 142mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 7457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 507000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 142mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7457 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm |
на замовлення 278195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V |
на замовлення 171578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 175540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm |
на замовлення 278195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
P-MOSFET 20V 2.3A SI2301CDS SOT23 VISHAY TSI2301cds кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
SI2301CDS-T1-GE3 Код товару: 155778 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|