на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4099+ | 3.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2301CDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 860mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI2301CDS-T1-GE3 за ціною від 6.00 грн до 87.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V |
на замовлення 134400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 860mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 340879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 142mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 7289 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
SI2301CDS-T1-GE3 Код товару: 155778
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V |
на замовлення 134803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 62203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 340879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT-23-3 |
на замовлення 175 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |