Інші пропозиції SI2301CDS-T1-GE3 за ціною від 4.71 грн до 87.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cdsкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V |
на замовлення 265750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 860mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 339959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 142mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3409 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V |
на замовлення 265864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 339959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 405 @ 10, Qg, нКл = 10 @ 4,5 В, Rds = 112 мОм @ 2,8 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,86, 1,6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
товару немає в наявності |