Продукція > VISHAY > SI2301CDS-T1-GE3
SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3 Vishay

si2301cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2301CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 860mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI2301CDS-T1-GE3 за ціною від 5.83 грн до 56.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 405000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.54 грн
9000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1488000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.02 грн
6000+10.91 грн
9000+10.05 грн
24000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.19 грн
6000+11.08 грн
9000+10.21 грн
24000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.21 грн
6000+11.10 грн
9000+10.22 грн
24000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2301cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.63 грн
6000+10.24 грн
9000+9.76 грн
15000+8.64 грн
21000+8.34 грн
30000+8.04 грн
75000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1488000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.80 грн
6000+11.68 грн
9000+10.76 грн
24000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.95 грн
6000+11.83 грн
9000+10.90 грн
24000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 373091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.46 грн
500+14.02 грн
1500+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
504+25.37 грн
679+18.82 грн
1000+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 504
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2301cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.53 грн
18+23.90 грн
20+20.83 грн
100+15.10 грн
500+11.28 грн
1000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2301cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.03 грн
11+29.78 грн
20+24.99 грн
100+18.12 грн
500+13.54 грн
1000+12.05 грн
3000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3
Код товару: 155778
Додати до обраних Обраний товар

si2301cd.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 373091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+47.36 грн
50+27.52 грн
100+20.46 грн
500+14.02 грн
1500+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2301cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 145052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.23 грн
12+29.93 грн
100+19.22 грн
500+13.69 грн
1000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2301cd.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 85454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.11 грн
11+33.43 грн
100+18.64 грн
500+14.26 грн
1000+12.74 грн
3000+10.91 грн
6000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+55.34 грн
23+32.26 грн
44+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+56.30 грн
23+32.67 грн
100+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2301cd.pdf MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT-23-3
на замовлення 175 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.