Продукція > VISHAY > SI2302ADS-T1-E3

SI2302ADS-T1-E3 VISHAY

Виробник: VISHAY

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2302ADS-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI2302ADS-T1-E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI2302ADS-T1-E3	Виробник : VISHAY	0710+	на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI2302ADS-T1-E3	Виробник : VISHAY	09+	на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI2302ADS-T1-E3	Виробник : VISHAY	SOT23	на замовлення 363000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI2302ADS-T1-E3	Виробник : VISHAY	SOT-23 09+	на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI2302ADS-T1-E3	Виробник : VISHAY	SOT-3	на замовлення 74 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI2302ADS-T1-E3 Код товару: 28286 Додати до обраних Обраний товар		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI2302ADS-T1-E3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI2302ADS-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI2302ADS-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.