Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2302CDS-T1-BE3
SI2302CDS-T1-BE3

SI2302CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2302cds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.16 грн
6000+9.82 грн
9000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2302CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-BE3 - N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 42AJ0550, tariffCode: 0, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, Verlustleistung: 710mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції SI2302CDS-T1-BE3 за ціною від 11.81 грн до 48.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 12001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.49 грн
11+28.84 грн
100+18.50 грн
500+13.16 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-T1-BE3 VISHAY si2302cds.pdf Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-BE3 - N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 42AJ0550
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix si2302cds.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 20V 2.6A
на замовлення 83455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-BE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 12001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.49 грн
11+28.84 грн
100+18.50 грн
500+13.16 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-BE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-BE3 - N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 42AJ0550
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-BE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT23 N-CH 20V 2.6A
на замовлення 83455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.