Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2302CDS-T1-BE3
SI2302CDS-T1-BE3

SI2302CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2302cds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.13 грн
6000+ 6.58 грн
9000+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2302CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI2302CDS-T1-BE3 за ціною від 7 грн до 38.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 21982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.65 грн
15+ 19.7 грн
100+ 11.84 грн
500+ 10.29 грн
1000+ 7 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2302cds.pdf MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S)
на замовлення 206858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.3 грн
11+ 30.4 грн
100+ 18.05 грн
1000+ 10.32 грн
3000+ 8.72 грн
9000+ 8.46 грн
45000+ 8.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2302CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товар відсутній