Продукція > VISHAY > SI2302CDS-T1-E3
SI2302CDS-T1-E3

SI2302CDS-T1-E3 Vishay

si2302cds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2302CDS-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI2302CDS-T1-E3 за ціною від 8.63 грн до 37.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.14 грн
6000+9.49 грн
9000+9.36 грн
15000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 109387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.90 грн
20+15.80 грн
100+13.83 грн
500+12.19 грн
1000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2302cds.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 449277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.84 грн
14+24.95 грн
100+15.02 грн
1000+11.68 грн
3000+10.01 грн
9000+9.43 грн
45000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3
Код товару: 181529
Додати до обраних Обраний товар

si2302cds.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.