Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2302CDS-T1-E3
SI2302CDS-T1-E3

SI2302CDS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2302cds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 58200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.78 грн
6000+11.28 грн
9000+10.76 грн
15000+9.54 грн
21000+9.22 грн
30000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2302CDS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI2302CDS-T1-E3 за ціною від 9.30 грн до 54.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2302cds.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 331541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.68 грн
13+28.04 грн
100+17.53 грн
500+13.72 грн
1000+11.66 грн
3000+10.52 грн
6000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 58637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.41 грн
10+32.47 грн
100+20.93 грн
500+14.97 грн
1000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3
Код товару: 181529
Додати до обраних Обраний товар

si2302cds.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.