Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2302CDS-T1-E3
SI2302CDS-T1-E3

SI2302CDS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2302cds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 77865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.40 грн
6000+9.53 грн
30000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2302CDS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI2302CDS-T1-E3 за ціною від 9.16 грн до 32.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 77883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.57 грн
20+16.71 грн
100+15.66 грн
500+14.48 грн
1000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2302cds.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 362539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+32.16 грн
20+17.83 грн
100+14.82 грн
500+13.82 грн
1000+11.76 грн
3000+9.62 грн
6000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3
Код товару: 181529
Додати до обраних Обраний товар

si2302cds.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.