Продукція > VISHAY > SI2302CDS-T1-GE3
SI2302CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-GE3 Vishay

si2302cds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2302CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SI2302CDS-T1-GE3 за ціною від 7.66 грн до 35.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 37
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 861000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 861000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.08 грн
9000+ 8.78 грн
24000+ 8.29 грн
45000+ 7.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.3 грн
9000+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.9 грн
6000+ 9.96 грн
9000+ 9.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.7 грн
6000+ 11.61 грн
12000+ 10.8 грн
18000+ 9.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.7 грн
21000+ 11.61 грн
42000+ 10.8 грн
63000+ 9.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.045 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 42722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.47 грн
500+ 15.75 грн
1500+ 11.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2302cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+29.88 грн
15+ 23.72 грн
25+ 17.55 грн
86+ 9.36 грн
236+ 8.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.045 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 42722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+30.78 грн
50+ 25.62 грн
100+ 20.47 грн
500+ 15.75 грн
1500+ 11.46 грн
Мінімальне замовлення: 25
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 17747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.42 грн
11+ 26.64 грн
100+ 18.51 грн
500+ 13.56 грн
1000+ 11.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+32.59 грн
23+ 26 грн
100+ 19.21 грн
500+ 14.46 грн
1000+ 10.88 грн
3000+ 8.83 грн
Мінімальне замовлення: 18
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2302cds.pdf MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 292135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.43 грн
11+ 28.18 грн
100+ 17.91 грн
500+ 13.98 грн
1000+ 11.39 грн
3000+ 9.59 грн
9000+ 8.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2302cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+35.86 грн
10+ 29.56 грн
25+ 21.06 грн
86+ 11.24 грн
236+ 10.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY TSI2302cds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній