Продукція > VISHAY / SILICONIX > SI2302DDS-T1-BE3
SI2302DDS-T1-BE3

SI2302DDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix

si2302dds.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT23 N-CH 20V 2.6A
на замовлення 61593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.71 грн
13+26.14 грн
100+14.57 грн
500+11.02 грн
1000+9.83 грн
3000+8.30 грн
9000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2302DDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix

Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI2302DDS-T1-BE3 за ціною від 10.57 грн до 43.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2302DDS-T1-BE3 SI2302DDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2302dds.pdf Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 3631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.93 грн
12+25.98 грн
100+16.63 грн
500+11.80 грн
1000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-BE3 SI2302DDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2302dds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-BE3 SI2302DDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2302dds.pdf Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.