на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2302DDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2302DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI2302DDS-T1-GE3 за ціною від 6.27 грн до 43.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2302DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2302DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2302DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V |
на замовлення 11740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2302DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2302DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2302DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.1A Power dissipation: 0.46W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 57mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2302DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.1A Power dissipation: 0.46W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 57mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2387 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2302DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2302DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 263595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2302DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2302DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2302DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V |
на замовлення 11994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|