Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2302DDS-T1-GE3
SI2302DDS-T1-GE3

SI2302DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2302dds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.87 грн
6000+8.67 грн
9000+8.25 грн
15000+7.29 грн
21000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2302DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2302DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 710mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm.

Інші пропозиції SI2302DDS-T1-GE3 за ціною від 8.06 грн до 53.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 Vishay si2302dds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.75 грн
6000+13.46 грн
9000+11.58 грн
24000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 Vishay si2302dds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.76 грн
6000+13.48 грн
9000+11.60 грн
24000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 Vishay si2302dds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+22.00 грн
51+14.94 грн
52+14.79 грн
100+12.17 грн
250+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 Vishay si2302dds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+28.71 грн
696+20.37 грн
1000+17.86 грн
3000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY si2302dds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.95 грн
16+26.42 грн
25+21.61 грн
100+15.71 грн
500+11.22 грн
1000+9.81 грн
3000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2302dds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 22775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
12+25.73 грн
100+16.47 грн
500+11.68 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2302dds.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 208527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.75 грн
12+27.63 грн
100+15.46 грн
500+11.67 грн
1000+10.42 грн
3000+8.84 грн
6000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0009156397-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 8743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.96 грн
25+33.10 грн
100+21.18 грн
500+14.81 грн
1000+12.29 грн
5000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 Vishay si2302dds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 si2302dds.pdf
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.75 грн
6000+13.46 грн
9000+11.58 грн
24000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 si2302dds.pdf
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.76 грн
6000+13.48 грн
9000+11.60 грн
24000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 si2302dds.pdf
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+22.00 грн
51+14.94 грн
52+14.79 грн
100+12.17 грн
250+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 si2302dds.pdf
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
494+28.71 грн
696+20.37 грн
1000+17.86 грн
3000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 si2302dds.pdf
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.95 грн
16+26.42 грн
25+21.61 грн
100+15.71 грн
500+11.22 грн
1000+9.81 грн
3000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 si2302dds.pdf
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 22775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.49 грн
12+25.73 грн
100+16.47 грн
500+11.68 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 si2302dds.pdf
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 208527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+45.75 грн
12+27.63 грн
100+15.46 грн
500+11.67 грн
1000+10.42 грн
3000+8.84 грн
6000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 VISH-S-A0009156397-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 8743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+53.96 грн
25+33.10 грн
100+21.18 грн
500+14.81 грн
1000+12.29 грн
5000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 si2302dds.pdf
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.