SI2302DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.25 грн |
| 6000+ | 9.00 грн |
| 9000+ | 8.57 грн |
| 15000+ | 7.57 грн |
| 21000+ | 7.30 грн |
| 30000+ | 7.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2302DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2302DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 710mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm.
Інші пропозиції SI2302DDS-T1-GE3 за ціною від 8.12 грн до 45.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2302DDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2302DDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2302DDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2302DDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2302DDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.1A Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 57mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.46W Gate charge: 3.5nC Kind of package: reel; tape |
на замовлення 4203 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2302DDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V |
на замовлення 46560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2302DDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 204420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SI2302DDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2302DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 710mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm |
на замовлення 14688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SI2302DDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 54 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI2302DDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 21.90 грн |
| 51+ | 14.87 грн |
| 52+ | 14.72 грн |
| 100+ | 12.11 грн |
| 250+ | 9.29 грн |
| SI2302DDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 497+ | 28.45 грн |
| 696+ | 20.28 грн |
| 1000+ | 17.78 грн |
| 3000+ | 14.10 грн |
| SI2302DDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 36.47 грн |
| 100+ | 23.17 грн |
| 500+ | 17.32 грн |
| 1000+ | 14.81 грн |
| SI2302DDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 387+ | 36.47 грн |
| 610+ | 23.17 грн |
| 815+ | 17.32 грн |
| 1000+ | 14.81 грн |
| SI2302DDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.46W
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.46W
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4203 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 43.26 грн |
| 16+ | 26.61 грн |
| 25+ | 21.76 грн |
| 100+ | 15.82 грн |
| 500+ | 11.30 грн |
| 1000+ | 9.87 грн |
| 3000+ | 8.12 грн |
| SI2302DDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 46560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 45.36 грн |
| 12+ | 26.74 грн |
| 100+ | 17.10 грн |
| 500+ | 12.13 грн |
| 1000+ | 10.87 грн |
| SI2302DDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 204420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI2302DDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
Description: VISHAY - SI2302DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 14688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2302DDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)