SI2302HDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.63 грн |
| 20+ | 15.26 грн |
| 100+ | 9.58 грн |
| 500+ | 6.68 грн |
| 1000+ | 5.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2302HDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2302HDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, Verlustleistung: 710mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm.
Інші пропозиції SI2302HDS-T1-GE3 за ціною від 3.73 грн до 31.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2302HDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2302HDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV Verlustleistung: 710mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2302HDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2302HDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI2302HDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 2559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SI2302HDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302HDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
Description: VISHAY - SI2302HDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 31.81 грн |
| SI2302HDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302HDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SI2302HDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2302HDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.98 грн |
| 20+ | 16.35 грн |
| 100+ | 8.97 грн |
| 500+ | 6.63 грн |
| 1000+ | 5.94 грн |
| 3000+ | 4.90 грн |
| 9000+ | 3.73 грн |