SI2302HDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.90 грн |
| 20+ | 16.00 грн |
| 50+ | 11.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2302HDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI2302HDS-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SI2302HDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 4909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI2302HDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 4909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)