на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.01 грн |
| 6000+ | 8.92 грн |
| 9000+ | 8.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2303CDS-T1-BE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI2303CDS-T1-BE3 за ціною від 9.51 грн до 45.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2303CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2303CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2303CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V |
на замовлення 5436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2303CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT23 P CHAN 30V |
на замовлення 72389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI2303CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
P-Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SI2303CDS-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.7A Power dissipation: 2.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -10A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SI2303CDS-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.7A Power dissipation: 2.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -10A |
товару немає в наявності |