Продукція > VISHAY > SI2303CDS-T1-E3
SI2303CDS-T1-E3

SI2303CDS-T1-E3 Vishay

si2303cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2303CDS-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI2303CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.158 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI2303CDS-T1-E3 за ціною від 9.94 грн до 46.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2303CDS-T1-E3 SI2303CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2303cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 SI2303CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2303cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.23 грн
6000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 SI2303CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2303cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.11 грн
6000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 SI2303CDS-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2303CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.158 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.18 грн
500+17.61 грн
1000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 SI2303CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2303cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 7506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.39 грн
11+29.10 грн
100+20.28 грн
500+14.51 грн
1000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 SI2303CDS-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2303CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.158 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.74 грн
26+32.32 грн
100+24.18 грн
500+17.61 грн
1000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 SI2303CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2303cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 SI2303CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2303cd.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 73026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.65 грн
11+33.05 грн
100+21.12 грн
500+16.04 грн
1000+13.06 грн
3000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 si2303cd.pdf
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 SI2303CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2303cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 SI2303CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2303cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -10A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.