SI2303CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2303CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SI2303CDS-T1-GE3 за ціною від 13.39 грн до 54.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2303CDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2303CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.7A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2927 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2303CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V |
на замовлення 4277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2303CDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 33570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SI2303CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 14497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SI2303CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 14497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SI2303CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI2303CDST1GE3 |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI2303CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 426+ | 33.19 грн |
| 534+ | 26.47 грн |
| 1000+ | 23.97 грн |
| SI2303CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 53.17 грн |
| 16+ | 26.53 грн |
| 50+ | 20.50 грн |
| 100+ | 18.49 грн |
| 500+ | 14.73 грн |
| 1000+ | 13.39 грн |
| SI2303CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 4277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 54.74 грн |
| 10+ | 32.46 грн |
| 100+ | 20.91 грн |
| 500+ | 14.96 грн |
| 1000+ | 13.45 грн |
| SI2303CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 33570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI2303CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 14497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2303CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 14497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2303CDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)