SI2304BDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.87 грн |
| 6000+ | 14.06 грн |
| 9000+ | 13.43 грн |
| 15000+ | 11.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2304BDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI2304BDS-T1-E3 за ціною від 12.92 грн до 65.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2304BDS-T1-E3 - Channel Type:N Channel tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.08W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 16533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 3.2A 0.07Ohm |
на замовлення 171107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V |
на замовлення 16934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 10A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.2A Power dissipation: 1.08W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 10A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 10A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.2A Power dissipation: 1.08W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 10A |
товару немає в наявності |