Технічний опис SI2304BDS-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI2304BDS-T1-E3 - Channel Type:N Channel, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.08W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 70mohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції SI2304BDS-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2304BDS-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 30V 3.2A 0.07Ohm |
на замовлення 55428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SI2304BDS-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2304BDS-T1-E3 - Channel Type:N Channel tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.08W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 70mohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 12278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SI2304BDS-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 52 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI2304BDS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 3.2A 0.07Ohm
MOSFETs 30V 3.2A 0.07Ohm
на замовлення 55428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI2304BDS-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2304BDS-T1-E3 - Channel Type:N Channel
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.08W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 70mohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - SI2304BDS-T1-E3 - Channel Type:N Channel
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.08W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 70mohm
directShipCharge: 25
на замовлення 12278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2304BDS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)