на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2304BDS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI2304BDS-T1-GE3 за ціною від 11.17 грн до 68.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2304BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2304BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2304BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2304BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V |
на замовлення 51281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2304BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10V |
на замовлення 405274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2304BDS-T1-GE3 | Виробник : VBsemi |
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C~150°C; SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; Transistors - FETs, MOSFETs - Single; SI2304BDS-T1-GE3-VB; SI2304BDS TSI2304bds VBS кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI2304BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; SI2304BDS TSI2304bds кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI2304BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
SI2304BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 10A; 1.08W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.08W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2304BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 10A; 1.08W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.08W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |