Продукція > VISHAY > SI2304BDS-T1-GE3
SI2304BDS-T1-GE3

SI2304BDS-T1-GE3 Vishay

si2304bds.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
576+24.59 грн
678+20.89 грн
768+18.42 грн
1000+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2304BDS-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2304BDS-T1-GE3 за ціною від 12.19 грн до 65.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI2304BDS-T1-GE3 SI2304BDS-T1-GE3 Vishay si2304bds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.26 грн
31+24.76 грн
100+21.03 грн
500+17.88 грн
1000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-GE3 SI2304BDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2304bds.pdf MOSFETs 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10V
на замовлення 412719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.39 грн
10+39.39 грн
100+22.27 грн
500+17.13 грн
1000+15.44 грн
3000+13.25 грн
6000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-GE3 SI2304BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2304bds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.02 грн
10+39.17 грн
100+25.47 грн
500+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-GE3 VBsemi si2304bds.pdf Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C~150°C; SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; Transistors - FETs, MOSFETs - Single; SI2304BDS-T1-GE3-VB; SI2304BDS TSI2304bds VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-GE3 Vishay si2304bds.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; SI2304BDS TSI2304bds
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-GE3 si2304bds.pdf
SI2304BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+28.26 грн
31+24.76 грн
100+21.03 грн
500+17.88 грн
1000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-GE3 si2304bds.pdf
SI2304BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10V
на замовлення 412719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+64.39 грн
10+39.39 грн
100+22.27 грн
500+17.13 грн
1000+15.44 грн
3000+13.25 грн
6000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-GE3 si2304bds.pdf
SI2304BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.02 грн
10+39.17 грн
100+25.47 грн
500+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-GE3 si2304bds.pdf
Виробник: VBsemi
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C~150°C; SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; Transistors - FETs, MOSFETs - Single; SI2304BDS-T1-GE3-VB; SI2304BDS TSI2304bds VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-GE3 si2304bds.pdf
Виробник: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; SI2304BDS TSI2304bds
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.