Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2304DDS-T1-BE3
SI2304DDS-T1-BE3

SI2304DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2304dds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.50 грн
6000+6.19 грн
9000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2304DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2304DDS-T1-BE3 за ціною від 5.89 грн до 13.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2304DDS-T1-BE3 SI2304DDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2304dds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 11668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.07 грн
27+11.87 грн
100+10.94 грн
500+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-BE3 SI2304DDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2304dds.pdf MOSFETs N-CHANNEL 30 V (D-S)
на замовлення 95490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+13.65 грн
28+12.41 грн
100+10.27 грн
500+9.51 грн
1000+9.44 грн
3000+5.96 грн
6000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-BE3 SI2304DDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.