SI2304DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.69 грн |
| 6000+ | 7.86 грн |
| 9000+ | 7.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2304DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI2304DDS-T1-BE3 за ціною від 6.40 грн до 32.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2304DDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2304DDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2304DDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V |
на замовлення 12058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2304DDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 30 V (D-S) |
на замовлення 110793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|