Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI2304DDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2622022-3
Price: 20490 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.83 грн
6000+	6.51 грн
9000+	6.38 грн
15000+	5.93 грн
21000+	5.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.049 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI2304DDS-T1-GE3 за ціною від 5.04 грн до 44.46 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 255000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.93 грн
6000+	6.86 грн
24000+	5.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	7.02 грн
6000+	6.95 грн
9000+	6.89 грн
15000+	6.60 грн
21000+	5.75 грн
24000+	5.46 грн
30000+	5.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 255000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	7.47 грн
6000+	7.39 грн
9000+	7.38 грн
24000+	6.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0001785484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.049 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	7.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1429+	8.52 грн
1665+	7.31 грн
1757+	6.93 грн
2000+	6.25 грн

Мінімальне замовлення: 1429

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	9.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 183000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	11.01 грн
90000+	10.06 грн
135000+	9.36 грн
180000+	8.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	11.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.049 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 7477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	13.42 грн
500+	11.16 грн
1500+	10.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V

на замовлення 26291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	33.34 грн
18+	17.58 грн
100+	11.79 грн
500+	10.31 грн
1000+	9.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
18+	34.96 грн
33+	18.77 грн
62+	9.76 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 4466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	37.05 грн
19+	20.34 грн
50+	14.14 грн
100+	12.38 грн
101+	8.94 грн
278+	8.41 грн
1500+	8.10 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SOT-23

на замовлення 51671 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	39.04 грн
15+	23.04 грн
100+	11.45 грн
1000+	10.27 грн
3000+	6.83 грн
9000+	6.75 грн
24000+	6.39 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.049 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 7477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
21+	40.84 грн
50+	21.32 грн
100+	13.42 грн
500+	11.16 грн
1500+	10.16 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 4466 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	44.46 грн
12+	25.34 грн
50+	16.97 грн
100+	14.86 грн
101+	10.73 грн
278+	10.09 грн
1500+	9.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Substitute: SI2304DDS-T1-GE3; SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY TSI2304dds
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	8.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.