
SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 7.19 грн |
6000+ | 6.85 грн |
9000+ | 6.78 грн |
15000+ | 6.35 грн |
21000+ | 6.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.049 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI2304DDS-T1-GE3 за ціною від 5.59 грн до 44.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 216000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 216000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 255000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 255000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 7602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.3A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 4466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V |
на замовлення 27041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 51671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 7602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.3A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4466 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |