SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix


si2304dds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.19 грн
6000+6.85 грн
9000+6.78 грн
15000+6.35 грн
21000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.049 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI2304DDS-T1-GE3 за ціною від 5.59 грн до 44.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001785484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.049 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.79 грн
6000+7.63 грн
9000+7.09 грн
24000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.34 грн
6000+8.17 грн
9000+7.60 грн
24000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1272+9.60 грн
1486+8.22 грн
1568+7.78 грн
2000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 1272
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.04 грн
90000+10.09 грн
135000+9.39 грн
180000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001785484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.049 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.45 грн
500+11.19 грн
1500+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+33.75 грн
32+19.34 грн
56+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI2304DDS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.14 грн
19+20.38 грн
50+14.18 грн
100+8.97 грн
275+8.43 грн
1500+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2304dds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 27041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.40 грн
17+18.78 грн
100+11.82 грн
500+10.57 грн
1000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2304dds.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 51671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.14 грн
15+23.10 грн
100+11.48 грн
1000+10.30 грн
3000+6.84 грн
9000+6.77 грн
24000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001785484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.049 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.93 грн
50+21.37 грн
100+13.45 грн
500+11.19 грн
1500+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI2304DDS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.57 грн
12+25.40 грн
50+17.01 грн
100+10.76 грн
275+10.12 грн
1500+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Substitute: SI2304DDS-T1-GE3; SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY TSI2304dds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.