 
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 5.60 грн | 
| 6000+ | 5.55 грн | 
| 9000+ | 4.95 грн | 
| 24000+ | 4.54 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2304DDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025). 
Інші пропозиції SI2304DDS-T1-GE3 за ціною від 4.87 грн до 38.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 192000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |  Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V | на замовлення 18000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |  Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 114000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 108000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 108000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |  Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4605 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1980 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 2.1nC On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 1.1W Drain current: 3.3A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V | на замовлення 4406 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 735 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |  Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V | на замовлення 19298 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 2.1nC On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 1.1W Drain current: 3.3A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4406 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |  MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SOT-23 | на замовлення 16226 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |  Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4605 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 55 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
| SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C;  Substitute: SI2304DDS-T1-GE3; SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY TSI2304dds кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт:термін постачання 28-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||
|   | SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
| SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності |