Продукція > VISHAY > SI2304DDS-T1-GE3
SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3 Vishay

si2304dds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3025+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3025
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2304DDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI2304DDS-T1-GE3 за ціною від 4.39 грн до 47.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.26 грн
6000+5.64 грн
9000+4.81 грн
24000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2304dds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.08 грн
6000+7.09 грн
9000+6.73 грн
15000+5.94 грн
21000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.21 грн
500+12.19 грн
1500+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
641+20.05 грн
937+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 641
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
569+22.61 грн
1095+11.73 грн
1128+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 569
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2304dds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 28517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.50 грн
14+21.40 грн
100+13.61 грн
500+9.62 грн
1000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+36.81 грн
50+21.53 грн
100+15.21 грн
500+12.19 грн
1500+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2304dds.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 9404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.86 грн
14+22.96 грн
100+12.83 грн
500+9.67 грн
1000+8.57 грн
3000+7.34 грн
6000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
379+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 379
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+47.36 грн
25+29.76 грн
48+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2304dds.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Substitute: SI2304DDS-T1-GE3; SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY TSI2304dds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2304dds.pdf SI2304DDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.12 грн
109+10.60 грн
300+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.