Продукція > VISHAY > SI2304DDS-T1-GE3
SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3 Vishay

TSI2304dds_VISHAY_0001.pdf
Виробник: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Substitute: SI2304DDS-T1-GE3; SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY TSI2304dds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2304DDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI2304DDS-T1-GE3 за ціною від 6.20 грн до 49.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2304dds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.10 грн
6000+7.98 грн
9000+7.58 грн
15000+6.69 грн
21000+6.44 грн
30000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay doc65175.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay doc65175.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay doc65175.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
564+25.03 грн
771+18.31 грн
1000+16.07 грн
1500+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 564 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay doc65175.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
462+30.57 грн
734+19.25 грн
952+14.84 грн
1072+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2304dds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 148776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.67 грн
13+24.10 грн
100+15.33 грн
500+10.83 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay doc65175.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+49.76 грн
25+30.57 грн
100+19.25 грн
500+14.31 грн
1000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay doc65175.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2304dds.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 37220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 si2304dds.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.10 грн
6000+7.98 грн
9000+7.58 грн
15000+6.69 грн
21000+6.44 грн
30000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 doc65175.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 doc65175.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 doc65175.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
564+25.03 грн
771+18.31 грн
1000+16.07 грн
1500+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 564 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 doc65175.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
462+30.57 грн
734+19.25 грн
952+14.84 грн
1072+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 si2304dds.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 148776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.67 грн
13+24.10 грн
100+15.33 грн
500+10.83 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 doc65175.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+49.76 грн
25+30.57 грн
100+19.25 грн
500+14.31 грн
1000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 doc65175.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 si2304dds.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 37220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.