Продукція > VISHAY > SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2304DDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 22157133-5
Price: 16800.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 192000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	5.60 грн
6000+	5.55 грн
9000+	4.95 грн
24000+	4.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2304DDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2304DDS-T1-GE3 за ціною від 4.87 грн до 38.61 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 192000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.00 грн
6000+	5.94 грн
9000+	5.30 грн
24000+	4.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	7.01 грн
6000+	6.68 грн
9000+	6.06 грн
15000+	5.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0010613148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 114000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	8.16 грн
6000+	7.88 грн
9000+	7.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 108000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	8.17 грн
6000+	7.89 грн
9000+	6.96 грн
24000+	6.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 108000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	8.79 грн
6000+	8.48 грн
9000+	7.49 грн
24000+	6.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	15.85 грн
500+	12.97 грн
1500+	10.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
653+	18.98 грн
1261+	9.82 грн
1283+	9.65 грн

Мінімальне замовлення: 653

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	21.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V

на замовлення 4406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
16+	28.27 грн
24+	17.10 грн
50+	12.65 грн
100+	11.22 грн
500+	8.43 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
390+	31.77 грн

Мінімальне замовлення: 390

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V

на замовлення 19298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	32.22 грн
18+	18.46 грн
100+	12.94 грн
500+	10.46 грн
1000+	9.36 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 4406 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	33.92 грн
14+	21.31 грн
50+	15.18 грн
100+	13.46 грн
500+	10.12 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SOT-23

на замовлення 16226 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	35.28 грн
18+	20.37 грн
100+	12.45 грн
500+	10.77 грн
1000+	9.55 грн
3000+	6.72 грн
6000+	6.57 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
23+	38.47 грн
50+	22.62 грн
100+	15.85 грн
500+	12.97 грн
1500+	10.13 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
19+	38.61 грн
32+	22.81 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Substitute: SI2304DDS-T1-GE3; SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY TSI2304dds
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	8.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.