Продукція > VISHAY / SILICONIX > SI2305CDS-T1-BE3
SI2305CDS-T1-BE3

SI2305CDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix

si2305cd.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT23 P-CH 8V 4.41A
на замовлення 32344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.87 грн
13+26.74 грн
100+14.87 грн
500+11.25 грн
1000+9.96 грн
3000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2305CDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix

Description: P-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 5.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V.

Інші пропозиції SI2305CDS-T1-BE3 за ціною від 5.41 грн до 40.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2305cd.pdf Description: P-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.83 грн
13+24.30 грн
100+15.52 грн
500+10.99 грн
1000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2305cd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2305cd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2305cd.pdf Description: P-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.