Продукція > VISHAY > SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2305CDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 33700-7
Price: 25380.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	8.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2305CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2305CDS-T1-GE3 за ціною від 2.79 грн до 40.93 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	9.26 грн
6000+	8.12 грн
9000+	6.63 грн
15000+	5.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	9.87 грн
6000+	8.89 грн
9000+	8.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	9.90 грн
6000+	8.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	10.59 грн
6000+	9.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0010613162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	10.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 122148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	14.92 грн
500+	11.32 грн
1000+	9.35 грн
5000+	7.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	23.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®

на замовлення 3426 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
13+	34.10 грн
27+	14.96 грн
29+	13.78 грн
50+	12.43 грн
97+	9.66 грн
266+	9.18 грн
1000+	8.79 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V

на замовлення 41819 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	37.00 грн
16+	20.66 грн
100+	14.33 грн
500+	10.99 грн
1000+	9.83 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 122148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
24+	37.00 грн
40+	21.49 грн
100+	14.92 грн
500+	11.32 грн
1000+	9.35 грн
5000+	7.89 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -8V Vds 8V Vgs SOT-23

на замовлення 86114 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	38.13 грн
17+	21.76 грн
100+	13.15 грн
500+	11.32 грн
1000+	10.11 грн
3000+	8.59 грн
6000+	7.75 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	38.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 3426 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	40.93 грн
16+	18.65 грн
20+	16.53 грн
50+	14.92 грн
97+	11.59 грн
266+	11.02 грн
1000+	10.55 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : KUU

Mosfet P-ch 8V 5.8A SOT23-3 / Trans Mosfet P-ch 8V 4.4A 3-PIN SOT-23 T/r KSI2305CDS-T1-GE3 SOT23 KUU TSI2305cds KUU
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
300+	2.79 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Transistor P-MOSFET; 8V; 8V; 65mOhm; 5,8A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305CDST1GE3; SI2305CDS-T1-GE3; SI2305DS; SI2305-TP; SI2305CDS-T1-BE3; KSI2305CDS-T1-GE3; SI2305CDS Vishay TSI2305cds
кількість в упаковці: 1000 шт

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	8.00 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

P-MOSFET 3.5A 8V 1.25W 0.052Ω SI2305DS TSI2305ds
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 151 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
50+	12.16 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

на замовлення 6195 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.