Продукція > VISHAY > SI2305CDS-T1-GE3
SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3 Vishay

si2305cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2305CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI2305CDS-T1-GE3 за ціною від 3.96 грн до 46.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2305cd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.44 грн
6000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2305cd.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.45 грн
6000+7.78 грн
9000+6.86 грн
15000+6.31 грн
21000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.08 грн
9000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2305cd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.09 грн
6000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2305cd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.76 грн
24000+10.75 грн
36000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2050605.pdf Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 128393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.97 грн
500+10.58 грн
1000+8.56 грн
5000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2305cd.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V
на замовлення 26538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
17+18.62 грн
100+12.17 грн
500+10.90 грн
1000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2050605.pdf Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 126973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.89 грн
40+20.63 грн
100+13.53 грн
500+11.42 грн
1000+9.48 грн
5000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2305cd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.79 грн
20+19.92 грн
50+14.79 грн
97+9.35 грн
265+8.89 грн
1000+8.74 грн
1500+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2305cd.pdf MOSFETs -8V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 68686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.26 грн
14+24.79 грн
100+11.92 грн
1000+10.81 грн
3000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.55 грн
12+24.83 грн
50+17.75 грн
97+11.22 грн
265+10.67 грн
1000+10.48 грн
1500+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.55 грн
12+24.83 грн
50+17.75 грн
97+11.22 грн
265+10.67 грн
1000+10.48 грн
1500+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : KUU si2305cd.pdf Transistor P-MOSFET; 8V; 8V; 65mOhm; 5,8A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305CDST1GE3; SI2305CDS-T1-GE3; SI2305DS; SI2305-TP; SI2305CDS-T1-BE3; KSI2305CDS-T1-GE3; SI2305CDS Vishay TSI2305cds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2305cd.pdf P-MOSFET 3.5A 8V 1.25W 0.052Ω SI2305DS TSI2305ds
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2305cd.pdf Transistor P-MOSFET; 8V; 8V; 65mOhm; 5,8A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305CDST1GE3; SI2305CDS-T1-GE3; SI2305DS; SI2305-TP; SI2305CDS-T1-BE3; KSI2305CDS-T1-GE3; SI2305CDS Vishay TSI2305cds
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2305cd.pdf MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2305cd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2305cd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.