на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2305CDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI2305CDS-T1-GE3 за ціною від 2.83 грн до 41.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2305CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2305CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2305CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2305CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2305CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 117902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2305CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2305CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 117902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2305CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3376 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2305CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V |
на замовлення 32178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2305CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -8V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 76496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2305CDS-T1-GE3 | Виробник : KUU |
Mosfet P-ch 8V 5.8A SOT23-3 / Trans Mosfet P-ch 8V 4.4A 3-PIN SOT-23 T/r KSI2305CDS-T1-GE3 SOT23 KUU TSI2305cds KUU кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI2305CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Transistor P-MOSFET; 8V; 8V; 65mOhm; 5,8A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305CDST1GE3; SI2305CDS-T1-GE3; SI2305DS; SI2305-TP; SI2305CDS-T1-BE3; KSI2305CDS-T1-GE3; SI2305CDS Vishay TSI2305cds кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI2305CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
P-MOSFET 3.5A 8V 1.25W 0.052Ω SI2305DS TSI2305ds кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 141 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI2305CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 |
на замовлення 6195 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
SI2305CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2305CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |