Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI2305CDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2622024-3
Price: 25830.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	8.61 грн
6000+	7.55 грн
9000+	7.18 грн
15000+	6.34 грн
21000+	6.11 грн
30000+	5.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2305CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V.

Інші пропозиції SI2305CDS-T1-GE3 за ціною від 3.07 грн до 40.28 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	8.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	10.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	11.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	11.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	12.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	12.80 грн
12000+	11.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
701+	18.67 грн
898+	14.57 грн
1000+	13.55 грн

Мінімальне замовлення: 701

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 6558 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
17+	27.75 грн
22+	19.70 грн
25+	17.29 грн
100+	12.72 грн
500+	9.97 грн
1000+	9.23 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 6558 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	33.30 грн
13+	24.55 грн
20+	20.75 грн
100+	15.26 грн
500+	11.97 грн
1000+	11.07 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V

на замовлення 75667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	38.06 грн
14+	22.59 грн
100+	14.43 грн
500+	10.22 грн
1000+	9.14 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -8V Vds 8V Vgs SOT-23

на замовлення 58499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	40.20 грн
13+	24.46 грн
100+	13.60 грн
500+	10.29 грн
1000+	9.11 грн
3000+	7.80 грн
6000+	7.04 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : KUU

Mosfet P-ch 8V 5.8A SOT23-3 / Trans Mosfet P-ch 8V 4.4A 3-PIN SOT-23 T/r KSI2305CDS-T1-GE3 SOT23 KUU TSI2305cds KUU
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
200+	3.07 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Transistor P-MOSFET; 8V; 8V; 65mOhm; 5,8A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305CDST1GE3; SI2305CDS-T1-GE3; SI2305DS; SI2305-TP; SI2305CDS-T1-BE3; KSI2305CDS-T1-GE3; SI2305CDS Vishay TSI2305cds
кількість в упаковці: 1000 шт

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	8.78 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

P-MOSFET 3.5A 8V 1.25W 0.052Ω SI2305DS TSI2305ds
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 141 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
50+	13.36 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0010613162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - MOSFET, P-KANAL, 8V, 5.8A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 109127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	40.28 грн
50+	24.89 грн
100+	15.95 грн
500+	11.15 грн
1500+	9.11 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

на замовлення 6195 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI2305CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.