на замовлення 25139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 66.49 грн |
| 10+ | 42.14 грн |
| 100+ | 23.85 грн |
| 500+ | 18.44 грн |
| 1000+ | 16.38 грн |
| 3000+ | 11.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2306BDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI2306BDS-T1-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2306BDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|
| SI2306BDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||
 |
SI2306BDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
SI2306BDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |