на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1039+ | 12.37 грн |
| 1193+ | 10.78 грн |
| 1205+ | 10.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2306BDS-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI2306BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.047 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI2306BDS-T1-E3 за ціною від 5.60 грн до 62.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2306BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2306BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2306BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2306BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2306BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.047 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2306BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2306BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 4.0A 0.75W |
на замовлення 14654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2306BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2306BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.047 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2306BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V |
на замовлення 9013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2306BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SI2306BDS-T1-E3 SMD N channel transistors |
на замовлення 1876 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SI2306BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |