Продукція > VISHAY > SI2306BDS-T1-E3
SI2306BDS-T1-E3

SI2306BDS-T1-E3 Vishay

si2306bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
977+12.46 грн
1107+11.00 грн
1117+10.90 грн
1229+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 977
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2306BDS-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI2306BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.047 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2306BDS-T1-E3 за ціною від 5.68 грн до 45.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2306bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.05 грн
6000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : Vishay 73234.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+18.94 грн
52+13.49 грн
53+13.35 грн
100+11.37 грн
250+10.43 грн
500+9.10 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0013608705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2306BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.047 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.74 грн
500+19.15 грн
1500+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.95 грн
18+23.03 грн
43+21.69 грн
50+21.45 грн
119+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2306bd.pdf MOSFETs 30V 4.0A 0.75W
на замовлення 21675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.42 грн
15+24.73 грн
100+18.24 грн
500+17.70 грн
1000+15.35 грн
3000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0013608705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2306BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.047 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.91 грн
50+25.14 грн
100+21.74 грн
500+19.15 грн
1500+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.94 грн
11+28.70 грн
43+26.02 грн
50+25.74 грн
119+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2306bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
на замовлення 7499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.21 грн
12+27.07 грн
100+21.36 грн
500+17.86 грн
1000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.