Продукція > VISHAY > SI2306BDS-T1-GE3
SI2306BDS-T1-GE3

SI2306BDS-T1-GE3 Vishay

si2306bd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
876+14.74 грн
882+14.64 грн
888+14.54 грн
894+13.93 грн
1000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 876
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2306BDS-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2306BDS-T1-GE3 за ціною від 12.13 грн до 64.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2306bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+16.58 грн
47+15.79 грн
100+15.13 грн
250+13.91 грн
500+13.27 грн
1000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
718+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 718
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2306bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
на замовлення 5594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.97 грн
10+37.16 грн
100+24.11 грн
500+17.33 грн
1000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2306bd.pdf MOSFETs 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V
на замовлення 17331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.34 грн
10+39.45 грн
100+22.17 грн
500+17.01 грн
1000+15.34 грн
3000+13.18 грн
6000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2306bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.