на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 453+ | 25.84 грн |
| 486+ | 24.08 грн |
| 488+ | 23.99 грн |
| 580+ | 19.47 грн |
| 1000+ | 17.06 грн |
| 2000+ | 16.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2306BDS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI2306BDS-T1-GE3 за ціною від 10.35 грн до 43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2306BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SI2306BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V |
на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI2306BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SI2306BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V |
на замовлення 4284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI2306BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V |
на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
 |
SI2306BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| SI2306BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4A; Idm: 20A; 1.25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4500000000nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
| SI2306BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4A; Idm: 20A; 1.25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4500000000nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |