| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 593+ | 24.73 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
593 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2307BDS-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 750mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm.
Інші пропозиції SI2307BDS-T1-E3 за ціною від 21.70 грн до 100.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2307BDS-T1-E3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI2307BDS-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI2307BDS-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 3.2A 1.25W |
на замовлення 46802 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI2307BDS-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 750mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI2307BDS-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI2307BDS-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 750mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI2307BDST1E3 | VISHAY |
на замовлення 2918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI2307BDS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 29.95 грн |
| 29+ | 27.38 грн |
| 50+ | 26.14 грн |
| 100+ | 22.82 грн |
| 250+ | 21.70 грн |
| SI2307BDS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 86.78 грн |
| SI2307BDS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 3.2A 1.25W
MOSFETs 30V 3.2A 1.25W
на замовлення 46802 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 100.06 грн |
| 10+ | 54.68 грн |
| 3000+ | 47.55 грн |
| 9000+ | 43.64 грн |
| SI2307BDS-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2307BDS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2307BDS-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2307BDST1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)