Продукція > VISHAY > SI2307BDS-T1-E3
SI2307BDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-E3 Vishay

72699.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2307BDS-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI2307BDS-T1-E3 за ціною від 17.25 грн до 82.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2307bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.71 грн
6000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2307bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2307bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+31.28 грн
25+31.26 грн
100+30.13 грн
250+27.88 грн
500+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2307bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2307bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
362+33.63 грн
500+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 362
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924702-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.50 грн
500+26.83 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2307bd.pdf MOSFETs 30V 3.2A 1.25W
на замовлення 85462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.43 грн
10+34.18 грн
100+22.24 грн
500+18.86 грн
1000+17.47 грн
3000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924702-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+68.91 грн
17+50.63 грн
100+34.50 грн
500+26.83 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2307bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+70.43 грн
279+43.74 грн
500+39.19 грн
1000+27.62 грн
3000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2307bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 11176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.56 грн
10+49.84 грн
100+32.70 грн
500+23.77 грн
1000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDST1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 Виробник : Vishay 72699.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2307bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -12A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2307bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.