Продукція > VISHAY > SI2307BDS-T1-E3
SI2307BDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-E3 Vishay

si2307bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2307BDS-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2307BDS-T1-E3 за ціною від 14.53 грн до 80.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2307bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : Vishay 72699.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2307bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.22 грн
6000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2307bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
502+24.38 грн
504+24.30 грн
516+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 502
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2307bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
431+28.42 грн
495+24.75 грн
498+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 431
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924702-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.74 грн
500+22.80 грн
1000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2307bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+35.47 грн
23+30.76 грн
25+30.45 грн
100+25.58 грн
250+23.51 грн
500+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2307bd.pdf MOSFETs 30V 3.2A 1.25W
на замовлення 75291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.14 грн
100+24.60 грн
500+19.32 грн
1000+18.34 грн
3000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924702-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+54.94 грн
21+40.55 грн
100+31.74 грн
500+22.80 грн
1000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2307bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 9407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.81 грн
10+48.66 грн
100+31.93 грн
500+23.21 грн
1000+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDST1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 Виробник : Vishay 72699.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2307bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2307bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.