Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2307CDS-T1-BE3
SI2307CDS-T1-BE3

SI2307CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2307cds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2307CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2307CDS-T1-BE3 за ціною від 9.73 грн до 70.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI2307CDS-T1-BE3 SI2307CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2307cds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.30 грн
10+33.29 грн
100+21.46 грн
500+15.35 грн
1000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3 SI2307CDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix si2307cds.pdf MOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S)
на замовлення 165922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.97 грн
10+35.34 грн
100+19.81 грн
500+15.08 грн
1000+13.60 грн
3000+10.36 грн
6000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3 SI2307CDS-T1-BE3 VISHAY VISH-S-A0010613200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 30V, 3.5A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Si2307CDS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.49 грн
25+36.02 грн
50+30.18 грн
100+22.60 грн
250+18.68 грн
500+16.42 грн
1000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3 SI2307CDS-T1-BE3 Vishay doc68768.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+70.23 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3 si2307cds.pdf
SI2307CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.30 грн
10+33.29 грн
100+21.46 грн
500+15.35 грн
1000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3 si2307cds.pdf
SI2307CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S)
на замовлення 165922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.97 грн
10+35.34 грн
100+19.81 грн
500+15.08 грн
1000+13.60 грн
3000+10.36 грн
6000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3 VISH-S-A0010613200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2307CDS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 30V, 3.5A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Si2307CDS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+62.49 грн
25+36.02 грн
50+30.18 грн
100+22.60 грн
250+18.68 грн
500+16.42 грн
1000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3 doc68768.pdf
SI2307CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
407+70.23 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.