Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2307CDS-T1-E3
SI2307CDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2307cds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.64 грн
6000+ 10.64 грн
9000+ 9.88 грн
30000+ 9.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2307CDS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2307CDS-T1-E3 за ціною від 10.48 грн до 37.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2307CDS-T1-E3 SI2307CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2307cds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 39426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.66 грн
10+ 28.44 грн
100+ 19.76 грн
500+ 14.48 грн
1000+ 11.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2307CDS-T1-E3 SI2307CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2307cds.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 479185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.7 грн
10+ 31.63 грн
100+ 19.09 грн
500+ 14.89 грн
1000+ 12.15 грн
3000+ 10.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2307CDS-T1-E3 si2307cds.pdf
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2307CDS-T1-E3 SI2307CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2307cds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2307CDS-T1-E3 SI2307CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2307cds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній