Продукція > VISHAY > SI2308BDS-T1-BE3
SI2308BDS-T1-BE3

SI2308BDS-T1-BE3 Vishay

si2308bds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2308BDS-T1-BE3 Vishay

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SI2308BDS-T1-BE3 за ціною від 10.86 грн до 61.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs SOT23 N CHAN 60V
на замовлення 79706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.66 грн
10+36.46 грн
100+22.82 грн
500+17.47 грн
1000+14.46 грн
3000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.92 грн
10+36.85 грн
100+23.87 грн
500+17.12 грн
1000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.