Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

si2308bds.pdf
Код товару: 168915
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2308BDS-T1-E3 за ціною від 20.59 грн до 228.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Vishay doc69958.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+43.65 грн
496+29.59 грн
580+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Vishay doc69958.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.59 грн
18+43.70 грн
100+29.63 грн
500+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 VISHAY si2308bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+228.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 si2308bds.pdf
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 si2308bds.pdf
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 doc69958.pdf
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
336+43.65 грн
496+29.59 грн
580+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 doc69958.pdf
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+71.59 грн
18+43.70 грн
100+29.63 грн
500+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 si2308bds.pdf
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+228.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.