Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

Код товару: 168915
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2308BDS-T1-E3 за ціною від 23.56 грн до 69.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Vishay doc69958.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+42.15 грн
496+28.57 грн
580+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 VISHAY 3817111.pdf Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-E3 - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.3A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.66W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.01 грн
25+36.35 грн
50+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Vishay doc69958.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.12 грн
18+42.19 грн
100+28.61 грн
500+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 doc69958.pdf
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
336+42.15 грн
496+28.57 грн
580+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 3817111.pdf
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-E3 - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.3A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.66W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+61.01 грн
25+36.35 грн
50+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 doc69958.pdf
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+69.12 грн
18+42.19 грн
100+28.61 грн
500+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.