на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2308BDS-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-E3 - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.3A, SOT-23-3, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.66W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI2308BDS-T1-E3 за ціною від 13.05 грн до 67.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2308BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2308BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 135189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2308BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-E3 - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.3A, SOT-23-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.66W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 18168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2308BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI2308BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY | SI2308BDS-T1-E3 SMD N channel transistors |
на замовлення 31 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
SI2308BDS-T1-E3 Код товару: 168915
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |