Продукція > VISHAY > SI2308BDS-T1-E3
SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3 Vishay


si2308bds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2308BDS-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-E3 - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.3A, SOT-23-3, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.66W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SI2308BDS-T1-E3 за ціною від 11.33 грн до 61.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
326+37.41 грн
488+24.97 грн
629+19.38 грн
1000+16.12 грн
3000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+41.99 грн
20+28.67 грн
73+12.38 грн
199+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+46.59 грн
18+34.82 грн
100+23.24 грн
500+17.39 грн
1000+13.89 грн
3000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+50.39 грн
20+35.73 грн
73+14.85 грн
199+14.04 грн
6000+13.76 грн
9000+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY 3817111.pdf Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-E3 - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.3A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.66W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 33198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+58.45 грн
22+38.86 грн
25+34.74 грн
50+28.44 грн
100+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 135189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.57 грн
10+36.21 грн
100+21.65 грн
500+17.47 грн
1000+15.71 грн
3000+12.40 грн
9000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 9853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.92 грн
10+36.85 грн
100+23.87 грн
500+17.12 грн
1000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3
Код товару: 168915
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.