SI2308BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.96 грн |
| 6000+ | 10.93 грн |
| 9000+ | 10.15 грн |
| 30000+ | 9.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2308BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V.
Інші пропозиції SI2308BDS-T1-GE3 за ціною від 9.64 грн до 40.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.09W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
на замовлення 59773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.06W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Power dissipation: 1.06W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.8A On-state resistance: 192mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 20587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V |
на замовлення 47525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 323936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.09W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
на замовлення 59773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.06W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Power dissipation: 1.06W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.8A On-state resistance: 192mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20587 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
SI2308BDS-T1-GE3 Код товару: 172429 |
Виробник : VISHAY |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 2.3 A Rds(on), Ohm: 0.156 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 190/4,5 |
товар відсутній
|