на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 10.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2308BDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.09W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI2308BDS-T1-GE3 за ціною від 7.70 грн до 71.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.09W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 71232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 209865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.09W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Replacement: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND; SI2308BDS-T1-BE3; TSI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS TSI2308bds кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
SI2308BDS-T1-GE3 Код товару: 172429
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : VISHAY |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 2.3 A Rds(on), Ohm: 0.156 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 190/4,5 |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |