Продукція > VISHAY > SI2308BDS-T1-GE3
SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3 Vishay

si2308bds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2308BDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.09W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI2308BDS-T1-GE3 за ціною від 7.70 грн до 56.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0012000276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.09W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 24606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.34 грн
500+19.16 грн
1500+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+25.85 грн
26+23.34 грн
100+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2308bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.91 грн
14+27.59 грн
68+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0012000276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.09W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 24606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.06 грн
50+34.33 грн
100+25.34 грн
500+19.16 грн
1500+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2308bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.50 грн
10+34.38 грн
68+16.00 грн
185+15.17 грн
3000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 209865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.30 грн
10+36.72 грн
100+19.86 грн
500+16.04 грн
1000+13.83 грн
3000+12.65 грн
9000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : Siliconix Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Substitute: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND; SI2308BDS TSI2308bds
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3
Код товару: 172429
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : VISHAY Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 2.3 A
Rds(on), Ohm: 0.156 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 190/4,5
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+10.00 грн
10+7.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.