Продукція > VISHAY > SI2308BDS-T1-GE3
SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3 VISHAY

VISH-S-A0012000276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.09W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2308BDS-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.09W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI2308BDS-T1-GE3 за ціною від 10.93 грн до 48.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Транзистори
на замовлення 865 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
15+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Vishay doc69958.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.74 грн
21+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 209865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 Vishay Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Replacement: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND; SI2308BDS-T1-BE3; TSI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS TSI2308bds
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3
SI2308BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Транзистори
на замовлення 865 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 doc69958.pdf
SI2308BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+48.74 грн
21+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3
SI2308BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 209865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Replacement: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND; SI2308BDS-T1-BE3; TSI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS TSI2308bds
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.