Інші пропозиції SI2308CDS-T1-GE3 за ціною від 5.59 грн до 38.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI2308CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI2308CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI2308CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2308CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.12 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 23544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI2308CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI2308CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2308CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.12 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 23544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI2308CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 144mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 4397 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI2308CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI2308CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V |
на замовлення 42101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI2308CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI2308CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 95055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI2308CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
SI2308CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
SI2308CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI2308CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| PIC18F65K80-I/PT Код товару: 202446
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 16.0Mhz SMD KX-7T 12pF Кварцовий резонатор (12.88722) Geyer Код товару: 202445
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTS0102DP,125 мікросхема Код товару: 195441
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PBD-16 (гнізда на плату, 2х8, 2,54мм) (KLS1-208-3.5-2-16) Код товару: 92752
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: Гнізда 2-х рядні на плату прямі, 16 контактів 2х8, крок 2,54мм, висота 3,5 мм, 3A, покриття: золото; короткі
Штирі або гнізда: Гніздо (розетка)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: 2-х рядні
К-сть контактів: 16
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: Гнізда 2-х рядні на плату прямі, 16 контактів 2х8, крок 2,54мм, висота 3,5 мм, 3A, покриття: золото; короткі
Штирі або гнізда: Гніздо (розетка)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: 2-х рядні
К-сть контактів: 16
у наявності: 438 шт
355 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 10.00 грн |
| 10+ | 9.00 грн |
| 100+ | 8.10 грн |






