SI2308CDS-T1-GE3


si2308cds.pdf
Код товару: 202447
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2308CDS-T1-GE3 за ціною від 5.59 грн до 38.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2308cds.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.24 грн
6000+7.22 грн
9000+6.85 грн
15000+6.04 грн
21000+5.81 грн
30000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1510+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 1510
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2308CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.44 грн
500+11.27 грн
1000+9.16 грн
5000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
755+18.45 грн
1046+13.32 грн
1081+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 755
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2308CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.11 грн
51+16.03 грн
100+13.44 грн
500+11.27 грн
1000+9.16 грн
5000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2308cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+34.18 грн
21+20.71 грн
100+11.94 грн
500+8.69 грн
1000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
380+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 380
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2308cds.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
на замовлення 42101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.69 грн
14+22.02 грн
100+13.96 грн
500+9.84 грн
1000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.20 грн
40+18.75 грн
77+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2308cds.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 95055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.29 грн
14+23.30 грн
100+12.84 грн
500+9.64 грн
1000+8.60 грн
3000+7.29 грн
6000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2308cds.pdf MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

PIC18F65K80-I/PT
Код товару: 202446
Додати до обраних Обраний товар
30509a.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
16.0Mhz SMD KX-7T 12pF Кварцовий резонатор (12.88722) Geyer
Код товару: 202445
Додати до обраних Обраний товар
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTS0102DP,125 мікросхема
Код товару: 195441
Додати до обраних Обраний товар
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBD-16 (гнізда на плату, 2х8, 2,54мм) (KLS1-208-3.5-2-16)
Код товару: 92752
Додати до обраних Обраний товар
kls1-208-3-5.pdf
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: Гнізда 2-х рядні на плату прямі, 16 контактів 2х8, крок 2,54мм, висота 3,5 мм, 3A, покриття: золото; короткі
Штирі або гнізда: Гніздо (розетка)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: 2-х рядні
К-сть контактів: 16
у наявності: 438 шт
355 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.