Продукція > VISHAY > SI2308CDS-T1-GE3
SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3 Vishay

si2308cds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2308CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2308CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2308CDS-T1-GE3 за ціною від 5.03 грн до 33.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2308cds.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.01 грн
6000+6.48 грн
9000+5.51 грн
15000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.26 грн
6000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.66 грн
6000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1398+8.75 грн
1446+8.46 грн
2500+8.21 грн
5000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 1398
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1352+9.05 грн
1548+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 1352
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
860+14.24 грн
1058+11.56 грн
1070+11.44 грн
1261+9.36 грн
1470+7.43 грн
3000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 860
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2308CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.85 грн
500+13.91 грн
1000+11.32 грн
5000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2308cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.40 грн
23+17.45 грн
27+14.78 грн
100+11.40 грн
107+8.65 грн
294+8.17 грн
1000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3
Код товару: 202447
Додати до обраних Обраний товар

si2308cds.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2308cds.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
на замовлення 41387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.75 грн
19+16.82 грн
100+12.06 грн
500+9.60 грн
1000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2308cds.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 133646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.49 грн
20+17.53 грн
100+10.87 грн
500+9.43 грн
1000+8.23 грн
3000+6.34 грн
6000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+29.74 грн
46+15.25 грн
100+11.95 грн
250+10.94 грн
500+8.91 грн
1000+7.65 грн
3000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2308cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.47 грн
14+21.75 грн
25+17.73 грн
100+13.68 грн
107+10.38 грн
294+9.81 грн
1000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2308CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+33.44 грн
44+19.64 грн
100+16.85 грн
500+13.91 грн
1000+11.32 грн
5000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.