Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3

si2308cds.pdf
Код товару: 202447
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2308CDS-T1-GE3 за ціною від 5.61 грн до 38.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2308cds.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.28 грн
6000+7.25 грн
9000+6.88 грн
15000+6.07 грн
21000+5.84 грн
30000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
755+18.74 грн
1046+13.53 грн
1081+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 755
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2308cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+34.32 грн
21+20.80 грн
100+11.99 грн
500+8.72 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2308cds.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
на замовлення 42101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.84 грн
14+22.12 грн
100+14.02 грн
500+9.88 грн
1000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2308cds.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 95055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.45 грн
14+23.40 грн
100+12.89 грн
500+9.68 грн
1000+8.64 грн
3000+7.32 грн
6000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2308cds.pdf MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.