Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2309CDS-T1-BE3
SI2309CDS-T1-BE3

SI2309CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2309cd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.67 грн
6000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2309CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SI2309CDS-T1-BE3 за ціною від 10.74 грн до 49.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2309CDS-T1-BE3 SI2309CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2309cd.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 8630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.96 грн
10+31.75 грн
100+21.67 грн
500+15.54 грн
1000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-BE3 SI2309CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2309cd.pdf MOSFETs SOT23 P CHAN 60V
на замовлення 196725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.10 грн
10+36.05 грн
100+22.57 грн
500+17.27 грн
1000+14.30 грн
3000+10.88 грн
9000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2309cd.pdf P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.