Продукція > VISHAY > SI2309CDS-T1-E3
SI2309CDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3 Vishay

si2309cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2309CDS-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SI2309CDS-T1-E3 за ціною від 10.50 грн до 51.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2309cd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.86 грн
6000+10.87 грн
9000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2309cd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 53899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.56 грн
13+27.57 грн
100+19.45 грн
500+16.85 грн
1000+14.62 грн
3000+11.28 грн
9000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2309cd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 9799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.97 грн
10+32.48 грн
100+22.17 грн
500+15.90 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+51.85 грн
316+38.62 грн
500+26.37 грн
1000+25.27 грн
3000+17.97 грн
6000+15.02 грн
12000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2309cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2309cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.