Продукція > VISHAY > SI2309CDS-T1-E3
SI2309CDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3 Vishay

si2309cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2309CDS-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SI2309CDS-T1-E3 за ціною від 10.26 грн до 46.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2309cd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.14 грн
6000+11.12 грн
9000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
488+24.99 грн
623+19.56 грн
811+15.01 грн
5000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 488
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2309cd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 40951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+25.18 грн
17+21.67 грн
100+17.25 грн
500+15.73 грн
1000+14.74 грн
3000+10.41 грн
6000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2309cd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 9799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.03 грн
10+33.24 грн
100+22.69 грн
500+16.27 грн
1000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2309cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2309cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.