Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2309CDS-T1-E3
SI2309CDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2309cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.93 грн
6000+12.31 грн
9000+11.74 грн
15000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2309CDS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SI2309CDS-T1-E3 за ціною від 12.76 грн до 58.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+42.24 грн
480+29.32 грн
611+23.02 грн
1000+20.04 грн
3000+16.02 грн
6000+14.89 грн
9000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.58 грн
18+42.24 грн
100+29.32 грн
500+22.20 грн
1000+18.56 грн
3000+15.38 грн
6000+14.89 грн
9000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2309cd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 17082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.50 грн
10+35.06 грн
100+22.67 грн
500+16.26 грн
1000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay Semiconductors si2309cd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 17856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
333+42.24 грн
480+29.32 грн
611+23.02 грн
1000+20.04 грн
3000+16.02 грн
6000+14.89 грн
9000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+56.58 грн
18+42.24 грн
100+29.32 грн
500+22.20 грн
1000+18.56 грн
3000+15.38 грн
6000+14.89 грн
9000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 17082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.50 грн
10+35.06 грн
100+22.67 грн
500+16.26 грн
1000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 17856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.