SI2309CDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.98 грн |
| 9000+ | 11.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2309CDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 1.7W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm.
Інші пропозиції SI2309CDS-T1-E3 за ціною від 12.98 грн до 58.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2309CDS-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2309CDS-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2309CDS-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2309CDS-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2309CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V |
на замовлення 65039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2309CDS-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 6147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
SI2309CDS-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.7W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm |
на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
SI2309CDS-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI2309CDS-T1-E3 |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI2309CDS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.27 грн |
| SI2309CDS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.27 грн |
| SI2309CDS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 419+ | 33.70 грн |
| 474+ | 29.81 грн |
| 604+ | 23.40 грн |
| 1000+ | 21.19 грн |
| 3000+ | 16.29 грн |
| 6000+ | 15.14 грн |
| 9000+ | 12.98 грн |
| SI2309CDS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 57.60 грн |
| 23+ | 33.70 грн |
| 100+ | 29.81 грн |
| 500+ | 22.56 грн |
| 1000+ | 19.62 грн |
| 3000+ | 15.64 грн |
| 6000+ | 15.14 грн |
| 9000+ | 12.98 грн |
| SI2309CDS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 65039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 58.55 грн |
| 10+ | 35.20 грн |
| 50+ | 25.80 грн |
| 100+ | 21.36 грн |
| 500+ | 16.32 грн |
| SI2309CDS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 6147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI2309CDS-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2309CDS-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)