Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2309CDS-T1-E3
SI2309CDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2309cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.05 грн
6000+12.42 грн
9000+11.85 грн
15000+10.52 грн
21000+10.17 грн
30000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2309CDS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SI2309CDS-T1-E3 за ціною від 12.87 грн до 59.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+42.62 грн
480+29.59 грн
611+23.23 грн
1000+20.22 грн
3000+16.17 грн
6000+15.03 грн
9000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.09 грн
18+42.62 грн
100+29.59 грн
500+22.40 грн
1000+18.72 грн
3000+15.52 грн
6000+15.03 грн
9000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2309cd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 68886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.02 грн
10+35.37 грн
100+22.87 грн
500+16.40 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay Semiconductors si2309cd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 17856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
333+42.62 грн
480+29.59 грн
611+23.23 грн
1000+20.22 грн
3000+16.17 грн
6000+15.03 грн
9000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+57.09 грн
18+42.62 грн
100+29.59 грн
500+22.40 грн
1000+18.72 грн
3000+15.52 грн
6000+15.03 грн
9000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 68886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.02 грн
10+35.37 грн
100+22.87 грн
500+16.40 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 17856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.