Продукція > VISHAY > SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2309CDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 33688-7
Price: 33000.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	11.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2309CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2309CDS-T1-GE3 за ціною від 8.56 грн до 59.55 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V

на замовлення 44000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	13.93 грн
6000+	12.31 грн
9000+	11.74 грн
15000+	10.43 грн
21000+	10.08 грн
30000+	9.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 618000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	14.28 грн
6000+	10.99 грн
9000+	10.88 грн
15000+	10.14 грн
21000+	9.29 грн
30000+	8.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	14.52 грн
6000+	11.17 грн
9000+	11.07 грн
15000+	10.31 грн
21000+	9.45 грн
30000+	8.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	14.57 грн
6000+	11.22 грн
9000+	11.11 грн
15000+	10.34 грн
21000+	9.49 грн
30000+	8.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	14.94 грн
6000+	14.78 грн
9000+	12.66 грн
15000+	12.08 грн
21000+	11.07 грн
30000+	10.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 618000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	15.29 грн
6000+	11.78 грн
9000+	11.65 грн
15000+	10.86 грн
21000+	9.95 грн
30000+	9.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	16.05 грн
6000+	15.89 грн
9000+	13.61 грн
15000+	12.98 грн
21000+	11.90 грн
30000+	11.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	16.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	18.62 грн
12000+	17.01 грн
18000+	15.83 грн
24000+	14.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0010613156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	19.24 грн
9000+	16.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	28.26 грн
500+	20.12 грн
1500+	16.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.3A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 12310 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	42.47 грн
14+	28.89 грн
50+	22.05 грн
100+	19.40 грн
500+	14.33 грн
1000+	12.39 грн
1500+	11.43 грн
3000+	10.87 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 12310 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	50.97 грн
10+	36.01 грн
50+	26.46 грн
100+	23.28 грн
500+	17.19 грн
1000+	14.87 грн
1500+	13.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3
Код товару: 173271

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	54.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23

на замовлення 135128 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	55.80 грн
11+	35.10 грн
100+	21.71 грн
500+	16.61 грн
1000+	14.99 грн
3000+	12.75 грн
6000+	11.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V

на замовлення 44742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	58.51 грн
10+	35.01 грн
100+	22.67 грн
500+	16.26 грн
1000+	14.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3052 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
13+	58.93 грн
19+	39.25 грн
100+	27.02 грн
500+	20.04 грн
1000+	16.25 грн
3000+	13.47 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	59.55 грн
50+	39.70 грн
100+	28.26 грн
500+	20.12 грн
1500+	16.72 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY; SI2309CDS-T1-GE3 TSI2309cds
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 990 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	11.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.