Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3

si2309cd.pdf
Код товару: 173271
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2309CDS-T1-GE3 за ціною від 11.66 грн до 80.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2309cd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.54 грн
9000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.89 грн
6000+15.51 грн
9000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.89 грн
6000+15.51 грн
9000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.31 грн
6000+18.66 грн
9000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.37 грн
6000+18.71 грн
9000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+37.73 грн
521+28.16 грн
3000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY si2309cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -8A
на замовлення 14601 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.52 грн
15+30.22 грн
50+24.37 грн
73+13.33 грн
200+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2309cd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 155444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.10 грн
10+36.60 грн
50+26.84 грн
100+22.21 грн
500+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2309cd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 58209 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+65.66 грн
11+29.50 грн
100+22.57 грн
500+17.30 грн
3000+13.32 грн
9000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.76 грн
21+38.39 грн
100+33.36 грн
500+24.55 грн
1000+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
на замовлення 18355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
на замовлення 18355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY; SI2309CDS-T1-GE3 TSI2309cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2309cd.pdf MOSFET P-CH 60V SOT23-3 Транзистори
на замовлення 20 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
20+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.54 грн
9000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.89 грн
6000+15.51 грн
9000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.89 грн
6000+15.51 грн
9000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.31 грн
6000+18.66 грн
9000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.37 грн
6000+18.71 грн
9000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
389+37.73 грн
521+28.16 грн
3000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cds.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -8A
на замовлення 14601 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+58.52 грн
15+30.22 грн
50+24.37 грн
73+13.33 грн
200+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 155444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.10 грн
10+36.60 грн
50+26.84 грн
100+22.21 грн
500+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 58209 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.66 грн
11+29.50 грн
100+22.57 грн
500+17.30 грн
3000+13.32 грн
9000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+80.76 грн
21+38.39 грн
100+33.36 грн
500+24.55 грн
1000+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
на замовлення 18355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
на замовлення 18355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
Виробник: Vishay
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY; SI2309CDS-T1-GE3 TSI2309cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V SOT23-3 Транзистори
на замовлення 20 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.