Продукція > VISHAY > SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2309CDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 33688-7
Price: 32430.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	10.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2309CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2309CDS-T1-GE3 за ціною від 8.42 грн до 63.29 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	13.51 грн
6000+	11.94 грн
9000+	11.05 грн
15000+	10.12 грн
21000+	9.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 618000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	14.04 грн
6000+	10.81 грн
9000+	10.69 грн
15000+	9.97 грн
21000+	9.14 грн
30000+	8.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	14.53 грн
6000+	11.38 грн
9000+	11.26 грн
15000+	10.50 грн
21000+	9.62 грн
30000+	8.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 618000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	15.04 грн
6000+	11.58 грн
9000+	11.46 грн
15000+	10.68 грн
21000+	9.79 грн
30000+	9.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	15.48 грн
6000+	12.11 грн
9000+	11.99 грн
15000+	11.18 грн
21000+	10.25 грн
30000+	9.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	18.31 грн
12000+	16.73 грн
18000+	15.56 грн
24000+	14.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0010613156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	19.60 грн
9000+	17.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	29.24 грн
500+	20.74 грн
1500+	16.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 9383 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	44.32 грн
13+	31.50 грн
50+	23.43 грн
79+	11.79 грн
218+	11.16 грн
9000+	10.84 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V

на замовлення 28205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	48.49 грн
11+	30.95 грн
100+	21.99 грн
500+	15.78 грн
1000+	14.21 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 9383 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	53.19 грн
10+	39.25 грн
50+	28.11 грн
79+	14.15 грн
218+	13.39 грн
9000+	13.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	53.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
13+	54.28 грн
19+	36.91 грн
100+	25.73 грн
500+	19.91 грн
1000+	15.65 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	58.73 грн
50+	38.95 грн
100+	29.24 грн
500+	20.74 грн
1500+	16.66 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3
Код товару: 173271

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23

на замовлення 136960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	63.29 грн
10+	38.71 грн
100+	22.19 грн
500+	17.40 грн
1000+	14.82 грн
3000+	13.45 грн
6000+	11.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY; SI2309CDS-T1-GE3 TSI2309cds
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1490 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	10.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.