Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3

si2309cd.pdf
Код товару: 173271
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2309CDS-T1-GE3 за ціною від 9.72 грн до 78.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2309cd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 100100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.91 грн
6000+12.29 грн
9000+11.73 грн
15000+10.42 грн
21000+10.06 грн
30000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.39 грн
6000+17.78 грн
9000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.39 грн
6000+17.78 грн
9000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.42 грн
6000+17.82 грн
9000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.42 грн
6000+17.82 грн
9000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.72 грн
6000+18.12 грн
9000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.78 грн
6000+18.18 грн
9000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.05 грн
500+19.24 грн
1500+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+39.87 грн
500+29.04 грн
1000+25.74 грн
3000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY si2309cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.3A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 7307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.65 грн
12+35.72 грн
50+25.28 грн
100+21.89 грн
500+15.95 грн
1000+14.08 грн
3000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2309cd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 100275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.68 грн
10+35.05 грн
100+22.64 грн
500+16.24 грн
1000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2309cd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 104115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.51 грн
10+37.61 грн
100+21.14 грн
500+16.21 грн
1000+14.59 грн
3000+12.48 грн
6000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.93 грн
50+41.69 грн
100+27.05 грн
500+19.24 грн
1500+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.64 грн
16+49.80 грн
100+32.41 грн
500+23.84 грн
1000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2309cd.pdf MOSFET P-CH 60V SOT23-3 Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
27+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY; SI2309CDS-T1-GE3 TSI2309cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 100100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.91 грн
6000+12.29 грн
9000+11.73 грн
15000+10.42 грн
21000+10.06 грн
30000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.39 грн
6000+17.78 грн
9000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.39 грн
6000+17.78 грн
9000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.42 грн
6000+17.82 грн
9000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.42 грн
6000+17.82 грн
9000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.72 грн
6000+18.12 грн
9000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.78 грн
6000+18.18 грн
9000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+27.05 грн
500+19.24 грн
1500+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
355+39.87 грн
500+29.04 грн
1000+25.74 грн
3000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cds.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.3A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 7307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+56.65 грн
12+35.72 грн
50+25.28 грн
100+21.89 грн
500+15.95 грн
1000+14.08 грн
3000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 100275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+58.68 грн
10+35.05 грн
100+22.64 грн
500+16.24 грн
1000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 104115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+61.51 грн
10+37.61 грн
100+21.14 грн
500+16.21 грн
1000+14.59 грн
3000+12.48 грн
6000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+66.93 грн
50+41.69 грн
100+27.05 грн
500+19.24 грн
1500+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+78.64 грн
16+49.80 грн
100+32.41 грн
500+23.84 грн
1000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V SOT23-3 Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
Виробник: Vishay
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY; SI2309CDS-T1-GE3 TSI2309cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.