Продукція > VISHAY > SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2309CDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 33688-7
Price: 30990 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	10.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2309CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.285 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI2309CDS-T1-GE3 за ціною від 9.63 грн до 86.94 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	13.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	13.31 грн
6000+	11.17 грн
9000+	10.62 грн
15000+	9.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	14.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0010613156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.36 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	18.72 грн
9000+	16.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 186000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	19.14 грн
96000+	17.49 грн
144000+	16.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 99000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	19.14 грн
48000+	17.49 грн
72000+	16.28 грн
96000+	14.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.285 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 1270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	31.58 грн
500+	22.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V

на замовлення 16817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	43.96 грн
11+	27.67 грн
100+	21.67 грн
500+	15.54 грн
1000+	13.56 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23

на замовлення 172731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	50.71 грн
10+	34.05 грн
100+	21.77 грн
500+	17.27 грн
1000+	14.30 грн
3000+	12.19 грн
9000+	10.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	50.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2813 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	53.73 грн
50+	31.37 грн
66+	13.46 грн
180+	12.77 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	54.45 грн
18+	35.40 грн
100+	27.74 грн
500+	20.45 грн
1000+	16.51 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3
Код товару: 173271

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.285 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 1270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	55.84 грн
50+	42.17 грн
100+	31.58 грн
500+	22.98 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 2813 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	64.47 грн
50+	39.09 грн
66+	16.15 грн
180+	15.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY; SI2309CDS-T1-GE3 TSI2309cds
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1490 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	11.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

P-Channel 60 V 1.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

на замовлення 97 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	86.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI2309CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.