на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2309CDS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V.
Інші пропозиції SI2309CDS-T1-GE3 за ціною від 8.14 грн до 41.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2309CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 507000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2309CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2309CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2309CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 507000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2309CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2309CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.36 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2309CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2309CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2309CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.3A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 8852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2309CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.3A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8852 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2309CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.285 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm |
на замовлення 19367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2309CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V |
на замовлення 22646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2309CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 199882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2309CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.285 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm |
на замовлення 19367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2309CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
P-MOSFET 60V 1.6A 345mΩ 1.7W SI2309CDS Vishay TSI2309cds кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 650 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
SI2309CDS-T1-GE3 Код товару: 173271 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
SI2309CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SI2309CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |