Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2312BDS-T1-BE3
SI2312BDS-T1-BE3

SI2312BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2312bds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.35 грн
6000+ 11.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2312BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI2312BDS-T1-BE3 за ціною від 11.95 грн до 41.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2312BDS-T1-BE3 SI2312BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2312bds.pdf Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
на замовлення 8671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.83 грн
10+ 30.18 грн
100+ 20.96 грн
500+ 15.36 грн
1000+ 12.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2312BDS-T1-BE3 SI2312BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2312bds.pdf MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S)
на замовлення 345766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.98 грн
10+ 35.16 грн
100+ 22.83 грн
500+ 17.96 грн
1000+ 14.35 грн
3000+ 12.15 грн
9000+ 11.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2312BDS-T1-BE3
Код товару: 184574 		si2312bds.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SI2312BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2312bds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23
товар відсутній