SI2312BDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.54 грн |
| 6000+ | 12.86 грн |
| 9000+ | 12.27 грн |
| 15000+ | 10.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2312BDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI2312BDS-T1-E3 за ціною від 11.14 грн до 61.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2312BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 8881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2312BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2312BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2312BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 8881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2312BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Channel 20V 3.9A |
на замовлення 242375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2312BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V |
на замовлення 18862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2312BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI2312BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI2312BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5A; Idm: 15A; 1.25W Case: SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 5A On-state resistance: 47mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 15A Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SI2312BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5A; Idm: 15A; 1.25W Case: SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 5A On-state resistance: 47mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 15A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |