Продукція > VISHAY > SI2312BDS-T1-E3
SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3 Vishay

si2312bds.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
341+41.39 грн
454+31.12 грн
593+23.80 грн
1000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2312BDS-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, Verlustleistung: 750mW, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm.

Інші пропозиції SI2312BDS-T1-E3 за ціною від 13.91 грн до 59.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 Vishay si2312bds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.47 грн
19+41.63 грн
100+31.31 грн
500+23.08 грн
1000+19.04 грн
3000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0010924773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0010924773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3 si2312bds.pdf
SI2312BDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+59.47 грн
19+41.63 грн
100+31.31 грн
500+23.08 грн
1000+19.04 грн
3000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3 VISH-S-A0010924773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2312BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3 VISH-S-A0010924773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2312BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.