Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2312CDS-T1-BE3
SI2312CDS-T1-BE3

SI2312CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2312cd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.41 грн
6000+10.05 грн
9000+9.57 грн
15000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2312CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI2312CDS-T1-BE3 за ціною від 9.74 грн до 52.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2312cd.pdf Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 16353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.80 грн
11+29.33 грн
100+18.85 грн
500+13.43 грн
1000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2312cd.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 20V 5A
на замовлення 49217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.37 грн
11+32.12 грн
100+17.88 грн
500+13.89 грн
1000+12.20 грн
3000+11.05 грн
6000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2312cd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2312cd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.