Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2312CDS-T1-BE3
SI2312CDS-T1-BE3

SI2312CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2312cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.71 грн
6000+9.43 грн
9000+8.98 грн
15000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2312CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 2.1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm.

Інші пропозиції SI2312CDS-T1-BE3 за ціною від 8.66 грн до 51.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-T1-BE3 VISHAY si2312cd.pdf Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+20.53 грн
500+14.45 грн
1000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-T1-BE3 VISHAY si2312cd.pdf Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-BE3 - N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 42AJ0559
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.67 грн
31+26.88 грн
100+17.19 грн
500+12.18 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2312cd.pdf Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 18637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.35 грн
11+27.54 грн
100+17.69 грн
500+12.61 грн
1000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix si2312cd.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 20V 5A
на замовлення 46327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.81 грн
11+31.40 грн
100+17.60 грн
500+13.34 грн
1000+12.01 грн
3000+9.36 грн
6000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-T1-BE3 VISHAY si2312cd.pdf Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.81 грн
26+31.85 грн
100+20.53 грн
500+14.45 грн
1000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
150+20.53 грн
500+14.45 грн
1000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-BE3 - N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 42AJ0559
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+43.67 грн
31+26.88 грн
100+17.19 грн
500+12.18 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 18637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.35 грн
11+27.54 грн
100+17.69 грн
500+12.61 грн
1000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT23 N-CH 20V 5A
на замовлення 46327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.81 грн
11+31.40 грн
100+17.60 грн
500+13.34 грн
1000+12.01 грн
3000+9.36 грн
6000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+51.81 грн
26+31.85 грн
100+20.53 грн
500+14.45 грн
1000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.