SI2312CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.64 грн |
| 6000+ | 9.37 грн |
| 9000+ | 8.92 грн |
| 15000+ | 7.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2312CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI2312CDS-T1-BE3 за ціною від 9.09 грн до 51.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2312CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V |
на замовлення 18637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2312CDS-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2312CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT23 N-CH 20V 5A |
на замовлення 47055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2312CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |