Інші пропозиції SI2312CDS-T1-GE3 за ціною від 11.51 грн до 48.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI2312CDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SI2312CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.1A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2711 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SI2312CDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 109571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI2312CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 405+ | 34.91 грн |
| 690+ | 20.45 грн |
| 1000+ | 18.36 грн |
| SI2312CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 48.32 грн |
| 13+ | 34.71 грн |
| 15+ | 30.22 грн |
| 100+ | 18.54 грн |
| 500+ | 13.29 грн |
| 1000+ | 11.51 грн |
| SI2312CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 109571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





