Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

si2312cd.pdf
Код товару: 180745
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2312CDS-T1-GE3 за ціною від 10.00 грн до 53.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Vishay si2312cd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Vishay si2312cd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 91004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.26 грн
500+14.98 грн
1500+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Vishay si2312cd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
458+30.96 грн
623+22.76 грн
1000+20.11 грн
3000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY si2312cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.35 грн
13+32.61 грн
15+28.33 грн
100+17.06 грн
500+12.52 грн
1000+11.09 грн
3000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2312cd.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.35 грн
11+27.69 грн
100+17.78 грн
500+12.67 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 91004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.93 грн
50+33.16 грн
100+21.26 грн
500+14.98 грн
1500+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 91004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+21.26 грн
500+14.98 грн
1500+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
458+30.96 грн
623+22.76 грн
1000+20.11 грн
3000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+44.35 грн
13+32.61 грн
15+28.33 грн
100+17.06 грн
500+12.52 грн
1000+11.09 грн
3000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.35 грн
11+27.69 грн
100+17.78 грн
500+12.67 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 91004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+53.93 грн
50+33.16 грн
100+21.26 грн
500+14.98 грн
1500+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.