SI2312CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.52 грн |
| 6000+ | 9.26 грн |
| 9000+ | 8.82 грн |
| 15000+ | 7.82 грн |
| 21000+ | 7.54 грн |
| 30000+ | 7.27 грн |
| 75000+ | 6.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2312CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI2312CDS-T1-GE3 за ціною від 8.57 грн до 52.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2312CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2312CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.1A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2312CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V |
на замовлення 150870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2312CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 8130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2312CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 104098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2312CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.1A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 871 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI2312CDS-T1-GE3 Код товару: 180745
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
SI2312CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |