Продукція > VISHAY > SI2312CDS-T1-GE3
SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3 Vishay

si2312cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2312CDS-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI2312CDS-T1-GE3 за ціною від 7.50 грн до 44.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2312cd.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.34 грн
6000+8.58 грн
9000+8.10 грн
15000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2312cd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2312cd.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 32331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.19 грн
13+25.59 грн
100+17.10 грн
500+13.10 грн
1000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2312cd.pdf Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 129314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.93 грн
31+27.47 грн
100+18.37 грн
500+13.51 грн
1000+11.15 грн
5000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2312cd.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 39553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.99 грн
13+28.69 грн
100+16.98 грн
500+14.18 грн
1000+11.98 грн
3000+8.95 грн
6000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2312cd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2312cd.pdf SI2312CDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.87 грн
89+12.51 грн
244+11.85 грн
9000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3
Код товару: 180745
Додати до обраних Обраний товар

si2312cd.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2312cd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2312cd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.