Продукція > VISHAY > SI2312CDS-T1-GE3
SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3 Vishay

si2312cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2312CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2312CDS-T1-GE3 за ціною від 7.89 грн до 53.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2312cd.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.41 грн
6000+10.05 грн
9000+9.57 грн
15000+8.48 грн
21000+8.18 грн
30000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 112209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.59 грн
500+13.67 грн
1000+11.29 грн
5000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2312cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.15 грн
16+26.54 грн
18+23.42 грн
100+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2312cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.38 грн
10+33.07 грн
11+28.10 грн
100+18.03 грн
500+13.14 грн
1000+11.51 грн
3000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2312cd.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 47165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.80 грн
11+29.33 грн
100+18.85 грн
500+13.43 грн
1000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2312cd.pdf Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 112179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.84 грн
50+32.71 грн
100+21.86 грн
500+16.62 грн
1500+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2312cd.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 28431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.08 грн
11+32.21 грн
100+17.95 грн
500+13.73 грн
1000+12.28 грн
3000+10.51 грн
6000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3
Код товару: 180745
Додати до обраних Обраний товар

si2312cd.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2312cd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.