Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

si2312cd.pdf
Код товару: 180745
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2312CDS-T1-GE3 за ціною від 9.96 грн до 47.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Vishay si2312cd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
408+34.66 грн
690+20.45 грн
1000+18.36 грн
3000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 408 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY si2312cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9739 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.76 грн
13+34.31 грн
15+29.87 грн
100+18.33 грн
500+13.14 грн
1000+11.38 грн
3000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 85773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 85773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
408+34.66 грн
690+20.45 грн
1000+18.36 грн
3000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 408 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9739 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+47.76 грн
13+34.31 грн
15+29.87 грн
100+18.33 грн
500+13.14 грн
1000+11.38 грн
3000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 85773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 85773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.