Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2314EDS-T1-E3
SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2314ed.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.77A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.40 грн
6000+18.18 грн
9000+17.43 грн
15000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2314EDS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.77A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Power Dissipation (Max): 750mW (Ta).

Інші пропозиції SI2314EDS-T1-E3 за ціною від 17.70 грн до 79.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2314EDS-T1-E3 SI2314EDS-T1-E3 Виробник : Vishay / Siliconix si2314ed.pdf MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 58396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.35 грн
10+36.14 грн
100+21.74 грн
500+18.18 грн
1000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 SI2314EDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2314ed.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.77A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
на замовлення 85832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.95 грн
10+48.61 грн
100+32.01 грн
500+23.34 грн
1000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2314ed.pdf 09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2314ed.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.