Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2314EDS-T1-E3
SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2314ed.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.77A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.50 грн
6000+19.16 грн
9000+18.37 грн
15000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2314EDS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.77A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI2314EDS-T1-E3 за ціною від 19.40 грн до 84.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2314EDS-T1-E3 SI2314EDS-T1-E3 Виробник : Vishay / Siliconix si2314ed.pdf MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 58396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.42 грн
10+39.61 грн
100+23.83 грн
500+19.93 грн
1000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 SI2314EDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2314ed.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
162+76.57 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 SI2314EDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2314ed.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.77A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 85832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.26 грн
10+51.23 грн
100+33.74 грн
500+24.60 грн
1000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2314ed.pdf 09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 SI2314EDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2314ed.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2314ed.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.