SI2314EDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.77A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.1 грн |
| 6000+ | 18.34 грн |
| 9000+ | 16.98 грн |
| 30000+ | 15.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2314EDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.77A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI2314EDS-T1-E3 за ціною від 16.91 грн до 53.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2314EDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2314EDS-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 59579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2314EDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.77A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V |
на замовлення 104013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI2314EDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
SI2314EDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SI2314EDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI2314EDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 15A Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 51mΩ Drain current: 4.9A Drain-source voltage: 20V Gate charge: 14nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 1.25W кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SI2314EDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 15A Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 51mΩ Drain current: 4.9A Drain-source voltage: 20V Gate charge: 14nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 1.25W |
товар відсутній |