Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2314EDS-T1-E3
SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2314ed.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.77A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.36 грн
6000+18.14 грн
9000+17.39 грн
15000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2314EDS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.77A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Power Dissipation (Max): 750mW (Ta).

Інші пропозиції SI2314EDS-T1-E3 за ціною від 21.13 грн до 87.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2314EDS-T1-E3 SI2314EDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2314ed.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.77A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
на замовлення 85832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.77 грн
10+48.50 грн
100+31.94 грн
500+23.29 грн
1000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 SI2314EDS-T1-E3 Vishay si2314ed.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.31 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 SI2314EDS-T1-E3 Vishay / Siliconix si2314ed.pdf MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 58396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 VISHAY si2314ed.pdf 09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 si2314ed.pdf
SI2314EDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.77A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
на замовлення 85832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.77 грн
10+48.50 грн
100+31.94 грн
500+23.29 грн
1000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 si2314ed.pdf
SI2314EDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
162+87.31 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 si2314ed.pdf
SI2314EDS-T1-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 58396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 si2314ed.pdf
Виробник: VISHAY
09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.