SI2314EDS-T1-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 84-93 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 63.86 грн |
| 10+ | 55.08 грн |
| 100+ | 36.20 грн |
| 3000+ | 20.67 грн |
| 6000+ | 19.57 грн |
| 9000+ | 18.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2314EDS-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.77A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI2314EDS-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2314EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|
| SI2314EDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 15A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SI2314EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.77A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
|
| SI2314EDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 15A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |