Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2315BDS-T1-BE3
SI2315BDS-T1-BE3

SI2315BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2315bd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 1.8-V (G-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2315BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 1.8-V (G-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2315BDS-T1-BE3 за ціною від 15.08 грн до 60.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2315BDS-T1-BE3 SI2315BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2315bd.pdf MOSFETs SOT23 P CHAN 1.8V
на замовлення 187434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.67 грн
11+31.98 грн
100+18.98 грн
500+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-BE3 SI2315BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2315bd.pdf Description: P-CHANNEL 1.8-V (G-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 5430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.48 грн
10+36.17 грн
100+23.37 грн
500+16.75 грн
1000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.