SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.28 грн |
| 6000+ | 12.62 грн |
| 9000+ | 12.04 грн |
| 15000+ | 10.69 грн |
| 21000+ | 10.33 грн |
| 30000+ | 10.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3.
Інші пропозиції SI2315BDS-T1-E3 за ціною від 11.74 грн до 62.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2315BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 46177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI2315BDS-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 1.8V 3.2A 1.25W |
на замовлення 150091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| SI2315BDS-T1-E3 | Vishay |
P-MOSFET 12V 3A 50mΩ 750mW SI2315BDS-T1-E3 Vishay TSI2315bds кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| SI2315BDS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 46177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.26 грн |
| 10+ | 36.04 грн |
| 100+ | 23.29 грн |
| 500+ | 16.69 грн |
| 1000+ | 15.02 грн |
| SI2315BDS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 1.8V 3.2A 1.25W
MOSFETs 1.8V 3.2A 1.25W
на замовлення 150091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.49 грн |
| 10+ | 38.18 грн |
| 100+ | 21.50 грн |
| 500+ | 16.42 грн |
| 1000+ | 14.87 грн |
| SI2315BDS-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
P-MOSFET 12V 3A 50mΩ 750mW SI2315BDS-T1-E3 Vishay TSI2315bds
кількість в упаковці: 100 шт
P-MOSFET 12V 3A 50mΩ 750mW SI2315BDS-T1-E3 Vishay TSI2315bds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.74 грн |