SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix


si2315bd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.26 грн
6000+12.60 грн
9000+12.02 грн
15000+10.67 грн
21000+10.31 грн
30000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2315BDS-T1-E3 за ціною від 11.90 грн до 89.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 109446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+39.43 грн
480+30.50 грн
549+26.67 грн
1000+23.36 грн
3000+16.32 грн
6000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 109460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.64 грн
20+39.41 грн
100+30.49 грн
500+25.71 грн
1000+21.62 грн
3000+15.66 грн
6000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2315bd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 46177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.18 грн
10+35.99 грн
100+23.26 грн
500+16.67 грн
1000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Vishay Semiconductors si2315bd.pdf MOSFETs 1.8V 3.2A 1.25W
на замовлення 89193 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+89.34 грн
10+54.39 грн
100+39.11 грн
3000+35.89 грн
6000+35.21 грн
9000+33.78 грн
24000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 Vishay si2315bd.pdf SI2315BDS-T1-E3 Vishay P-MOSFET 12V 3A 50mΩ 750mW TSI2315bds
на замовлення 140 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
100+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 si2315bd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 109446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
371+39.43 грн
480+30.50 грн
549+26.67 грн
1000+23.36 грн
3000+16.32 грн
6000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 si2315bd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 109460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+47.64 грн
20+39.41 грн
100+30.49 грн
500+25.71 грн
1000+21.62 грн
3000+15.66 грн
6000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 si2315bd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 46177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.18 грн
10+35.99 грн
100+23.26 грн
500+16.67 грн
1000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 si2315bd.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 1.8V 3.2A 1.25W
на замовлення 89193 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.34 грн
10+54.39 грн
100+39.11 грн
3000+35.89 грн
6000+35.21 грн
9000+33.78 грн
24000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 si2315bd.pdf
Виробник: Vishay
SI2315BDS-T1-E3 Vishay P-MOSFET 12V 3A 50mΩ 750mW TSI2315bds
на замовлення 140 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.