на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2315BDS-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V.
Інші пропозиції SI2315BDS-T1-E3 за ціною від 10.36 грн до 67.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2315BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2315BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 109446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2315BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 109460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2315BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V |
на замовлення 46177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2315BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 1.8V 3.2A 1.25W |
на замовлення 150091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2315BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
P-MOSFET 12V 3A 50mΩ 750mW SI2315BDS-T1-E3 Vishay TSI2315bds кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI2315BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SI2315BDS-T1-E3 SMD P channel transistors |
на замовлення 904 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|