Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2315BDS-T1-E3
SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2315bd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.61 грн
6000+ 10.62 грн
9000+ 9.86 грн
30000+ 9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2315BDS-T1-E3 за ціною від 11.08 грн до 38.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay 72014.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.02 грн
6000+ 19.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.02 грн
6000+ 19.2 грн
12000+ 17.87 грн
18000+ 16.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY SI2315BDS-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.19W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+32.12 грн
14+ 25.67 грн
25+ 19.56 грн
52+ 15.54 грн
142+ 14.71 грн
1000+ 14.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2315bd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 91745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.58 грн
10+ 28.37 грн
100+ 19.71 грн
500+ 14.45 грн
1000+ 11.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2315bd.pdf MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W
на замовлення 157717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.6 грн
10+ 31.55 грн
100+ 19.05 грн
500+ 14.92 грн
1000+ 13.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY SI2315BDS-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.19W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5073 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+38.55 грн
10+ 31.98 грн
25+ 23.47 грн
52+ 18.65 грн
142+ 17.65 грн
1000+ 16.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf P-MOSFET 12V 3A 50mΩ 750mW SI2315BDS-T1-E3 Vishay TSI2315bds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній