Продукція > VISHAY > SI2315BDS-T1-E3
SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3 Vishay

si2315bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2315BDS-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2315BDS-T1-E3 за ціною від 10.29 грн до 66.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2315bd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.70 грн
6000+12.99 грн
9000+12.39 грн
15000+11.00 грн
21000+10.63 грн
30000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 109446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
371+33.00 грн
480+25.52 грн
549+22.32 грн
1000+19.55 грн
3000+13.66 грн
6000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C568D3977E469&compId=SI2315BDS-T1-E3.pdf?ci_sign=4b39bd91ea787a3c282726a69c776976d3dda3b0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.19W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.40 грн
14+29.08 грн
25+22.17 грн
52+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 109460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+37.02 грн
20+30.63 грн
100+23.69 грн
500+19.97 грн
1000+16.80 грн
3000+12.17 грн
6000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C568D3977E469&compId=SI2315BDS-T1-E3.pdf?ci_sign=4b39bd91ea787a3c282726a69c776976d3dda3b0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.19W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+43.68 грн
10+36.24 грн
25+26.60 грн
52+21.41 грн
142+20.28 грн
500+20.19 грн
1000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2315bd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 46177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.04 грн
10+37.10 грн
100+23.97 грн
500+17.18 грн
1000+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2315bd.pdf MOSFETs 1.8V 3.2A 1.25W
на замовлення 150091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.91 грн
10+40.87 грн
100+23.02 грн
500+17.58 грн
1000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf P-MOSFET 12V 3A 50mΩ 750mW SI2315BDS-T1-E3 Vishay TSI2315bds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.