Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2315BDS-T1-E3
SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2315bd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.90 грн
6000+12.28 грн
9000+11.72 грн
15000+10.40 грн
21000+10.05 грн
30000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2315BDS-T1-E3 за ціною від 11.43 грн до 60.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 109446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
371+34.66 грн
480+26.81 грн
549+23.44 грн
1000+20.53 грн
3000+14.35 грн
6000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 109460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+44.87 грн
20+37.12 грн
100+28.71 грн
500+24.21 грн
1000+20.36 грн
3000+14.75 грн
6000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2315bd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 46177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.65 грн
10+35.08 грн
100+22.67 грн
500+16.24 грн
1000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2315bd.pdf MOSFETs 1.8V 3.2A 1.25W
на замовлення 150091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.82 грн
10+37.16 грн
100+20.92 грн
500+15.98 грн
1000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf P-MOSFET 12V 3A 50mΩ 750mW SI2315BDS-T1-E3 Vishay TSI2315bds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.