Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2315BDS-T1-E3
SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2315bd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.09 грн
6000+12.45 грн
9000+11.87 грн
15000+10.54 грн
21000+10.18 грн
30000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3.

Інші пропозиції SI2315BDS-T1-E3 за ціною від 11.49 грн до 59.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 109446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+38.07 грн
480+29.45 грн
549+25.75 грн
1000+22.55 грн
3000+15.76 грн
6000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 109460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.00 грн
20+38.06 грн
100+29.44 грн
500+24.82 грн
1000+20.87 грн
3000+15.12 грн
6000+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2315bd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 46177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.44 грн
10+35.55 грн
100+22.97 грн
500+16.46 грн
1000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Vishay Semiconductors si2315bd.pdf MOSFETs 1.8V 3.2A 1.25W
на замовлення 150091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 Vishay si2315bd.pdf P-MOSFET 12V 3A 50mΩ 750mW SI2315BDS-T1-E3 Vishay TSI2315bds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 si2315bd.pdf
SI2315BDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 109446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
371+38.07 грн
480+29.45 грн
549+25.75 грн
1000+22.55 грн
3000+15.76 грн
6000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 si2315bd.pdf
SI2315BDS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 109460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+46.00 грн
20+38.06 грн
100+29.44 грн
500+24.82 грн
1000+20.87 грн
3000+15.12 грн
6000+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 si2315bd.pdf
SI2315BDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 46177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.44 грн
10+35.55 грн
100+22.97 грн
500+16.46 грн
1000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 si2315bd.pdf
SI2315BDS-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 1.8V 3.2A 1.25W
на замовлення 150091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 si2315bd.pdf
Виробник: Vishay
P-MOSFET 12V 3A 50mΩ 750mW SI2315BDS-T1-E3 Vishay TSI2315bds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.