SI2315BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.61 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2315BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI2315BDS-T1-GE3 за ціною від 14.92 грн до 83.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2315BDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2315BDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2315BDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -3A Power dissipation: 1.19W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -12A Gate charge: 15nC |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2315BDS-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 12V 3.85A 1.19W 50mohm @ 4.5V |
на замовлення 165774 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2315BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V |
на замовлення 14431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2315BDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2315BDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2315BDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SI2315BDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI2315BDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 507+ | 28.12 грн |
| 526+ | 27.11 грн |
| 1000+ | 26.22 грн |
| 2500+ | 24.54 грн |
| 5000+ | 22.11 грн |
| SI2315BDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 429+ | 33.22 грн |
| 432+ | 33.03 грн |
| 546+ | 26.10 грн |
| 1000+ | 22.33 грн |
| SI2315BDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.19W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -12A
Gate charge: 15nC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.19W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -12A
Gate charge: 15nC
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 50.66 грн |
| 11+ | 38.29 грн |
| SI2315BDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 12V 3.85A 1.19W 50mohm @ 4.5V
MOSFETs 12V 3.85A 1.19W 50mohm @ 4.5V
на замовлення 165774 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 76.28 грн |
| 10+ | 47.10 грн |
| 100+ | 26.77 грн |
| 500+ | 20.70 грн |
| 1000+ | 18.72 грн |
| 3000+ | 16.16 грн |
| 6000+ | 14.92 грн |
| SI2315BDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 14431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.36 грн |
| 10+ | 46.05 грн |
| 100+ | 30.11 грн |
| 500+ | 21.81 грн |
| 1000+ | 19.74 грн |
| SI2315BDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 83.76 грн |
| SI2315BDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 170+ | 83.76 грн |
| SI2315BDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2315BDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)