на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2315BDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI2315BDS-T1-GE3 за ціною від 16.06 грн до 84.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2315BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2315BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2315BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2315BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2315BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -12A Drain-source voltage: -12V Drain current: -3A Gate charge: 15nC On-state resistance: 0.1Ω Power dissipation: 1.19W Gate-source voltage: ±8V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2315BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -12A Drain-source voltage: -12V Drain current: -3A Gate charge: 15nC On-state resistance: 0.1Ω Power dissipation: 1.19W Gate-source voltage: ±8V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2315BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2315BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 12V 3.85A 1.19W 50mohm @ 4.5V |
на замовлення 165774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2315BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V |
на замовлення 14431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|