Продукція > VISHAY / SILICONIX > SI2316BDS-T1-BE3
SI2316BDS-T1-BE3

SI2316BDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix

si2316bd.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S)
на замовлення 16853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.28 грн
10+ 35.7 грн
100+ 21.16 грн
500+ 18.29 грн
3000+ 15.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2316BDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2316BDS-T1-BE3 за ціною від 16.45 грн до 42.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2316BDS-T1-BE3 SI2316BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2316bd.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.61 грн
10+ 36.16 грн
100+ 27.71 грн
500+ 20.56 грн
1000+ 16.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2316BDS-T1-BE3 SI2316BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2316bd.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
товар відсутній