Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2316BDS-T1-GE3
SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2316bd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.67 грн
6000+14.29 грн
9000+13.23 грн
30000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2316BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2316BDS-T1-GE3 за ціною від 13.98 грн до 61.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2316bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2316bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2316bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+22.88 грн
28+21.62 грн
29+21.40 грн
100+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2316bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 61123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.28 грн
10+34.40 грн
100+23.82 грн
500+18.68 грн
1000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2316bd.pdf MOSFETs 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V
на замовлення 30570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.82 грн
10+46.76 грн
100+26.71 грн
500+20.77 грн
1000+18.49 грн
3000+15.19 грн
6000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2316bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2316bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2316bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.