Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2316BDS-T1-GE3
SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2316bd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.19 грн
6000+13.86 грн
9000+12.83 грн
30000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2316BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI2316BDS-T1-GE3 за ціною від 15.41 грн до 40.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 Vishay si2316bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 Vishay si2316bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 Vishay si2316bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.44 грн
28+26.87 грн
29+26.60 грн
100+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2316bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 61123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.03 грн
10+33.35 грн
100+23.10 грн
500+18.11 грн
1000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2316bd.pdf MOSFETs 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V
на замовлення 17394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 Vishay si2316bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 si2316bd.pdf
SI2316BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 si2316bd.pdf
SI2316BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 si2316bd.pdf
SI2316BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+28.44 грн
28+26.87 грн
29+26.60 грн
100+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 si2316bd.pdf
SI2316BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 61123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.03 грн
10+33.35 грн
100+23.10 грн
500+18.11 грн
1000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 si2316bd.pdf
SI2316BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V
на замовлення 17394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 si2316bd.pdf
SI2316BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.